管状加热组件

钼钨

产品概述
用于外延工艺（MOCVD 与 MBE）的部件，适用于 LED 芯片、晶体管、太阳能电池及其他光电子器件的制造。零件采用耐火金属（钼、钨）和特殊合金制造，适用于暴露在极高温度和真空条件下的反应室。Plansee 为反应器提供包括防护罩、气体收集器和加热元件在内的 50 多种部件。

关键优势

• 采用有限元法（FEM）进行热学优化模拟
• 提供定制化设计与按需制造
• 专利的多孔钨基涂层工艺
• 表面发射率提高 → 可降低工作温度
• 延长使用寿命，降低更换频率
• 提升每个涂层周期的良率

应用与性能
MOCVD 系统中的加热元件可达到约 2000°C。Plansee 提供 50 多种用于 MOCVD 和相关外延系统的部件，可作为 OEM 零件或备件供应。通过改进设计并结合 FEM 优化，可实现反应室内的温度均匀性，从而提高涂层一致性与工艺良率。

专利涂层与寿命提升
Plansee 的专利多孔钨基涂层能显著增加加热元件的有效表面积和表面发射率。发射率提高后，在相同热通量下所需的工作温度降低，部件寿命可延长数月，从而降低整体运行成本。

气体兼容性示例表（概要）
气体 | 钼 | 钨
氨气 | 最高可耐 1000°C (1273 K) — 不反应；超过 1000°C 时可能发生表面氮化 | 最高可耐 1000°C (1273 K) — 不反应；超过 1000°C 时可能发生表面氮化
惰性气体 | 至最高温度均不反应 | 至最高温度均不反应
二氧化碳 | 超过 1200°C (1473 K) 时氧化 | 超过 1200°C (1473 K) 时氧化
一氧化碳 | 超过 1400°C (1673 K) 时氧化 | 超过 1400°C (1673 K) 时氧化
碳氢化合物 | 超过 1100°C (1373 K) 时渗碳 | 超过 1200°C (1473 K) 时渗碳
空气与氧气 | 超过 400°C (673 K) 时氧化；超过 600°C (873 K) 时升华 | 超过 500°C (773 K) 时氧化；超过 850°C (1123 K) 时升华
氮气 | 至最高温度均不反应（适用于纯钼） | 至最高温度均不反应（适用于纯钨）
水蒸气 | 超过 700°C (973 K) 时氧化 | 超过 700°C (973 K) 时氧化
氢气 | 至最高温度均不反应（注意露点条件） | 至最高温度均不反应（注意露点条件）

材料与工艺补充说明

• 高纯度：材料纯度保证 > 99.97%，以避免对半导体层的污染。
• 低蒸气压：适用于高真空与超高真空环境。
• 提供特殊合金（如 TZM、WVM、ML、WL）以提高抗蠕变性和热循环下的尺寸稳定性。
• 专利涂层可提高表面发射率，降低工作温度并延长使用寿命。

特性 / 规格

• 典型 MOCVD 加热元件温度：可达 ≈ 2000 °C（设计与材料适用于极高温度）
• 材料：钼、钨及特殊合金（例如 TZM、WVM、ML、WL）
• 熔点：钼 ≈ 2620 °C；钨 ≈ 3420 °C
• 材料纯度：> 99.97%
• 低蒸气压，适用于高 / 超高真空
• 专利多孔钨基涂层以提高表面发射率
• FEM 仿真用于反应室温度均匀化及部件设计优化
• 超过 50 种 MOCVD 专用部件可供选择（防护罩、气体收集器、加热元件）