紫外线激光切割机 LUD3200

用于单晶硅晶圆CNC数控

紫外皮秒激光用于硅和化合物半导体晶片的精密半切割或全切割。 - 高质量 切割线宽窄（以紫外准直为例，切割线宽 + HAZ ≤ 20 ± 5 μ m） 边缘塌陷小（≤ 10 μ m） - 高效率 UPH ≥ 10（紫外振镜：以 3 英寸双介子硅二极管晶片为例，包括自动对准时间） - 稳定性好 激光脉冲稳定性高（RMS ≤ 2%），光束质量高（M ² ≤1.2） 样品显示 切割前沿 - 3 英寸双介子二极管晶片激光全切割；晶粒尺寸：300 * 300 μm，晶片厚度 130 μm，切割通道厚度 30 μm。