硅光电二极管 C30902EH
雪崩红外LIDAR

硅光电二极管 - C30902EH - Excelitas Technologies - PCO - 雪崩 / 红外 / LIDAR
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产品规格型号

技术参数
雪崩, 硅, 红外, LIDAR

产品介绍

概述
Excelitas C30902EH 雪崩光电二极管为高速、大面积硅 reach-through APD,适用于典型增益大于100的弱光应用。以改良型 TO-18 外壳封装并配有平玻璃窗,提供多种 TO-18 配置(平玻璃、球面透镜、光导管和905 nm 滤光片)。光敏表面的有效直径为 0.5 mm。

关键细节
C30902EH 系列采用双扩散“reach-through”结构制造,在 400 nm 到 1000 nm 范围内具有高响应度,并具有极快的上升/下降时间。响应度在典型情况下对调制频率独立,直至约 800 MHz。探测芯片在改良型 TO-18 封装的平玻璃窗后方进行气密封装。该系列还包括可实现单光子检测的 APD(SPAD)变体(C30902SH),可在 Geiger 和线性模式下工作。

特性与优点
  • TO-18 封装的 0.5 mm 硅 APD
  • 高量子效率 – 在 800 nm 处典型为 84%
  • 室温低噪声
  • 高响应度 – 内部雪崩增益 >150
  • 光谱响应范围 – 400 至 1100 nm
  • 时间响应 – 典型 0.4 ns
  • 宽工作温度范围 -40°C 至 +85°C

应用
  • LiDAR / 飞行时间(ToF)测量
  • 光时域反射仪(OTDR)
  • 小信号荧光测量
  • 激光扫描

技术参数
  • 有效面积:0.2 mm²
  • 有效直径:0.5 mm
  • 击穿电压:典型 225 V
  • 电容:1.5 pF
  • 温度系数:典型 0.7 V/°C
  • 暗电流:7 nA
  • 暗噪声:0.1 pA/√Hz
  • 等效噪声功率:1.23 fW/√Hz
  • 典型响应度:800 nm 时 80 A/W
  • 推荐增益:150
  • 封装:TO-18,平窗

PDF产品目录

展厅

该卖家将出席以下展会

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 11月 2026 Munich (德国) 展会 B4 - 展台 302

  • 更多信息
    * 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。
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