- 电学、电子和光学设备 >
- 电子元件 >
- 硅光电二极管
硅光电二极管
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... S16008-66 是一款表面贴装型硅光电二极管,在可见光至近红外区域具有高灵敏度。这提供了比以前的 S2387 系列更高的灵敏度。 特点 - 在可见光至近红外区域具有高灵敏度 - 低暗电流 - 卓越的线性度 - 兼容无铅回流焊接 ...
... アプリケーション分野 モバイルとウェアラブル バイタルサインの監視 医療とヘルスケア デジタル診断デバイス ...
... 硅 PIN 光电二极管 特点 封装类型:表面贴装 封装形式:12061206 尺寸(长 x 宽 x 高,单位:毫米):4 x 2 x 1.05 应用 高速光电探测器 ...
... 产品描述
C30817EH 硅雪崩光电二极管(Si APD)为通用高速探测器,采用双扩散 reach-through 结构。该结构在 400–1100 nm 范围内具有高响应度,立/降时间快速(约 2 ns),且降时间无尾部,使得器件在约 200 MHz 以内的调制频率下响应保持稳定。器件采用改良型低型 TO-5 封装,带平玻璃窗气密封装;有效区域直径:0.8 mm。
主要特性
- 高量子效率
- 900 nm 典型 85%
- 1060
Excelitas Technologies - PCO
... 硅雪崩光电二极管 硅雪崩光电二极管适用于 255 纳米到 1100 纳米的光谱范围。 范围广泛的 APD 自 2004 年激光元件检测器集团公司成立以来,我们已经建立了一个包括高质量 APD 和低成本型 APD 的产品系列。有源区直径从 230 µm 到 3.0 mm 不等。 ...
... DH-Si 是一款通用型 UV 增强型硅光电二极管,在 200-1100nm 波长范围内提供出色的线性度和低噪声。 除了在整个紫外线-近红外线范围内使用外,DH-Si 在某些情况下代表了一种经济实惠的测量解决方案,否则可能考虑使用光倍增器。 它的 “安装与 Bentham 单色仪和附件的整个范围兼容。 此检测器推荐与 400 系列检测电子设备配合使用。 ...