雪崩光电二极管

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InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
G14858-0020AA

这款 InGaAs APD(雪崩光电二极管)通过使用新的器件结构和改进处理,大大减少了现有产品的暗电流。G14858-0020AA 用于测距、微弱测光等。 特点 - 低暗电流 - 低电容 - 高灵敏度 详细参数 • 像素数 : 1 • 受光面 : φ0.2 mm • 封装 : 金属 • 封装类别 : TO-18 • 灵敏度波长范围 : 950 至 1700 nm • 最大灵敏度波长(典型值) : 1550 nm • 感光灵敏度(典型值) ...

硅光电二极管
硅光电二极管
S14124-20

高灵敏度硅 APD,用于检测波长为 266 nm 的光 S14124-20 是 S8664 系列的改进型硅 APD,用于对半导体检查和激光加工设备中所使用的波长为 266 nm 的光进行高灵敏度检测。在 λ = 266 nm 时,我们实现了 87% 的量子效率。 特点 - 高灵敏度,量子效率:87% (λ = 266 nm) - 低电容 - 低噪声 - 高增益 详细参数 • 类型 : 短波长类型 • (低结电容) • 受光面 : ...

InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
G8931 series

G8931-04 是一款 InGaAs APD,可提供 SONET(同步光网络)、G-PON(千兆无源光网络)和 GE-PON(千兆以太网无源光网络)等干线光纤通信所需的 2.5 Gbps 高速响应。 特点 - 高速响应:2.5 Gbps - 低暗电流 - 低电容 - 感光面:φ0.04 mm - 高灵敏度 详细参数 • 像素数 : 1 • 受光面 : φ0.04 mm • 封装 : 金属 • 封装类别 : TO-18 • 灵敏度波长范围 ...

雪崩光电二极管
雪崩光电二极管
XSJ-10-APD6-16X

该25Gbps APD光探测器芯片是GSG电极结构,为正面入光的高速雪崩光探测器芯片,光敏区尺寸是Φ16μm。产品的主要特点是高倍增、低电容、低温度系数和高可靠性,主要用于25G PON、5G无线和100GBASE-ER4。 产品特点 1. Φ16μm光探测窗口 2. 高倍增 3. 低电容 4. 低温度系数 5. 100%测试和外观检测 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
雪崩光电二极管
雪崩光电二极管
XSJ-10-APD6-16

该25Gbps APD光探测器芯片是GS电极结构,为正面入光的高速雪崩光探测器芯片,光敏区尺寸是Φ16μm。产品的主要特点是高倍增、低电容、低温度系数和高可靠性,主要用于25G PON、5G无线和100GBASE-ER4。 产品特点 1. Φ16μm光探测窗口 2. 高倍增 3. 高速率:25Gbps以上 4. 低电容 5. 低温度系数 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 ...

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InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
XSJ-10-APD5-40

描述 该10Gbps APD光探测器芯片是GSG电极结构,正面光照的高速雪崩光探测器芯片,光敏区尺寸是Φ40μm。产品主要特点是高倍增、低电容、高带宽、低温度系数和高可靠性,主要用于10G SONET/SDH和10G PON光接收器。 产品特点 Φ40μm光探测窗口 高倍增 高速率 低温度系数 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 应用领域 10G ...

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雪崩光电二极管
雪崩光电二极管
XSJ10-APD4-55G

雪崩光探测器芯片(Avalanche Photodiode Chip)简称APD Chip,是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该产品光敏区尺寸是 Φ55um且为正面入光,便于光纤对准,正面和背面的电极结构;高响应度,高倍增低暗电流。高性能的2.5Gbps APD Chip与TIA组合的TO-CAN可以提高光接收机的灵敏度,广泛用于光纤到户(FTTH)GPON网络传输。 产品特点 1. Φ55μm光探测窗口 2. 正面为阳极,背面为阴极 ...

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雪崩光电二极管
雪崩光电二极管
XSJ10-APD4-50T

雪崩光电二极管芯片(APD芯片)是一种提供内置增益和放大光电流的有源器件。本产品的特点是阳极在上,阴极在后,顶部照明的有源面积尺寸为Φ50μm,便于光学组装;高响应性,高倍增系数,低暗电流。高性能的2.5Gbps APD chip和TIA相结合的TO-CAN可以提高光接收器的灵敏度,应用于实现当今光纤到户(FTTH)的数据传输。 产品特点 1. Φ50μm光探测窗口 2. 正面为阳极,背面为阴极 3. 低暗电流 4. ...

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雪崩光电二极管
雪崩光电二极管
XSJ-10-APD5-50P-X

该10G雪崩光电二极管芯片(APD芯片)为上P电极,下N电极结构,顶照有源面积大小为Φ50μm。本产品具有高倍增、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性优异等特点,适用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机。 产品特点 1. Φ50μm光探测窗口 2. 高倍增 3. 低温度系数 4. 100%测试和外观检测 5. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 ...

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InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
XSJ-10-APD5-40S-X

描述 该10Gbps APD光探测器芯片是GS电极结构,为正面入光的高速雪崩光探测器芯片,光敏区尺寸是Φ40μm。产品的主要特点是高倍增、低电容、高带宽、低温度系数和高可靠性,主要用于10G SONET/SDH和10G PON光接收器。 产品特点 Φ40μm光探测窗口 高倍增 高速率 低温度系数 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 应用领域 10G ...

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InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
XSJ-10-APD4-50

描述 雪崩光探测器芯片(Avalanche Photodiode Chip)简称APD Chip,是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该产品光敏区尺寸是Φ50μm且为正面入光,便于光纤对准,正面和背面的电极结构;高响应度,高倍增,低暗电流。高性能的3.5Gbps APD Chip与TIA组合的TO—CAN可以提高光接收机的灵敏度,广泛用于无源光网络传输。 产品特点 Φ50μm光探测窗口 正面为阳极,背面为阴极 低暗电流 高响应度、高倍增 速率达到3.5Gbps以上 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 符合RoHS2.0要求(2011/65/EU) 应用领域 3.5Gbps ...

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InGaAs光电二极管
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XSJ-10-APD4-50T

描述 雪崩光探测器芯片(Avalanche Photodiode Chip)简称APD Chip,是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该产品光敏区尺寸是Φ50μm且为正面入光,便于光纤对准,正面和背面的电极结构;高响应度,高倍增,低暗电流。高性能的2.5Gbps APD Chip与TIA组合的TO—CAN可以提高光接收机的灵敏度,广泛用于光纤到户(FTTH )GPON网络传输。 产品特点 Φ50μm光探测窗口 正面为阳极,背面为阴极 低暗电流 高响应度、高倍增 速率达到2.5Gbps以上 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 符合RoHS2.0要求(2011/65/EU) 应用领域 2.5Gbps ...

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XSJ-10-APD4-50G

描述 雪崩光探测器芯片(Avalanche Photodiode Chip)简称APD Chip,是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该产品光敏区尺寸是Φ50μm且为正面入光,便于光纤对准,正面和背面的电极结构;高响应度,高倍增,低暗电流。高性能的2.5Gbps APD Chip与TIA组合的TO—CAN可以提高光接收机的灵敏度,广泛用于工业级无源光网络传输。 产品特点 Φ50μm光探测窗口 正面为阳极,背面为阴极 低暗电流 高响应度、高倍增 低功耗 速率达到2.5Gbps以上 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 应用领域 2.5Gbps及以下GPON/EPON工业级ONU

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... PD-LD 公司提供各种标准和定制 PIN 光电二极管和 APD 是经过验证的光纤耦合封装。 我们的锗器件适用于 800 纳米至 2100nm。 所有器件均采用光纤同轴封装或连接器式插座封装。 ...

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PD-LD
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... 高可靠性Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA 接收器光学分组件 (ROSA) 产品,专门为 XFP 收发器设计,可在高达 10G 的高速应用中提供出色的性能。 该产品集成了 PIN 和 TIA 芯片,采用定制的密封式 TO46 封装。 每个器件都使用专有的对齐算法主动对齐精密 OSA 外壳,并根据精确要求进行测试。 可选的受控阻抗柔性 OSA-PCBA 连接器为用户提供了最佳性能。 功能 可处理高达 10G 的数据速率, 支持 ...

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LUMENTUM
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硅光电二极管
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LASER COMPONENTS
InGaAs光电二极管
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IAG Series

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LASER COMPONENTS
雪崩光电二极管
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H series

... APD 接收器具有集成的前置放大器,采用紧凑、密封的外壳。 APD 接收器 APD,具有匹配的集成前置放大器,采用紧凑型封装。 我们 的接收器 APD 在特定应用中的性能通常受到前置放大器的限制,因此需要非常小心地选择和实施前置放大器,以实现最佳的信噪比。 我们的 H 系列接收器为用户提供一个 APD,采用紧凑的密封封装,内置匹配的集成前置放大器。 下面列出的所有接收器均配有硅 * 或英加斯 **-APD,因此适用于波长范围为 400—1100 纳米和 ...

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