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... 1.高响应 InGaAs/InP 雪崩光电探测器、 2.单光子灵敏度高 3.高增益、低噪声 4.波长范围从 950nm 到 1650nm、 5.49/125/250um 单模光纤同轴封装。 应用 1.激光雷达和激光测距 2.光通信 3.荧光测量 4.环境分析 5.生物医学设备 ...
... 说明 XSJ20T-3840-* CA-G43 设计用于高达 10 Gbps 数据速率的光通信系统。 它由一个高性能 APD、TIA（跨阻放大器）和芯片电容器组成，用于电源去耦。 这些芯片和组件组装成带有镜头盖和 5 针 TO46 接头的密封封装。 特点 ● 高灵敏度 10G 雪崩光电二极管。 ● 典型灵敏度值-27.5dBm = 1E-12，-33dBm = 1E-3。 ● 5 针 TO46 带短镜头盖密封包装。 ● 符合标准，符合标准。 应用 ● 10G PON ONU，以太网。 ...
... 硅雪崩光电二极管 硅雪崩光电二极管适用于 255 纳米到 1100 纳米的光谱范围。 范围广泛的 APD 自 2004 年激光元件检测器集团公司成立以来，我们已经建立了一个包括高质量 APD 和低成本型 APD 的产品系列。有源区直径从 230 µm 到 3.0 mm 不等。 ...
LASER COMPONENTS
... InGaAs 雪崩光电二极管用于检测 1100 纳米到 1700 纳米光谱范围内的光。它们的噪声明显低于锗二极管。 1100 - 1700 纳米砷化镓雪崩光电二极管 这些 InGaAs 雪崩光电二极管可探测 1100 纳米到 1700 纳米的光谱范围。IAG 系列 APD 具有特别高的损坏阈值。两者均采用 TO-46 外壳封装。 砷化镓 APD 系列 InGaAs-APD 适用于 1100 纳米到 1700 纳米的光谱范围。与锗 APD 相比，它们的噪声比明显改善，带宽相对于有源面积更大，灵敏度最高可达 ...
LASER COMPONENTS
... APD 接收器具有集成的前置放大器，采用紧凑、密封的外壳。 APD 接收器 APD，具有匹配的集成前置放大器，采用紧凑型封装。 我们 的接收器 APD 在特定应用中的性能通常受到前置放大器的限制，因此需要非常小心地选择和实施前置放大器，以实现最佳的信噪比。 我们的 H 系列接收器为用户提供一个 APD，采用紧凑的密封封装，内置匹配的集成前置放大器。 下面列出的所有接收器均配有硅 * 或英加斯 **-APD，因此适用于波长范围为 400—1100 纳米和 1000 — 1650 纳米。 ...
LASER COMPONENTS
... PD-LD 公司提供各种标准和定制 PIN 光电二极管和 APD 是经过验证的光纤耦合封装。 我们的锗器件适用于 800 纳米至 2100nm。 所有器件均采用光纤同轴封装或连接器式插座封装。 ...
PD-LD
... 高可靠性Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA 接收器光学分组件 (ROSA) 产品，专门为 XFP 收发器设计，可在高达 10G 的高速应用中提供出色的性能。 该产品集成了 PIN 和 TIA 芯片，采用定制的密封式 TO46 封装。 每个器件都使用专有的对齐算法主动对齐精密 OSA 外壳，并根据精确要求进行测试。 可选的受控阻抗柔性 OSA-PCBA 连接器为用户提供了最佳性能。 功能 可处理高达 10G 的数据速率， 支持 1310 nm 和 1550 nm ...
LUMENTUM
