InGaAs光电二极管 IAG Series

雪崩PIN

InGaAs 雪崩光电二极管用于检测 1100 纳米到 1700 纳米光谱范围内的光。它们的噪声明显低于锗二极管。 1100 - 1700 纳米砷化镓雪崩光电二极管 这些 InGaAs 雪崩光电二极管可探测 1100 纳米到 1700 纳米的光谱范围。IAG 系列 APD 具有特别高的损坏阈值。两者均采用 TO-46 外壳封装。 砷化镓 APD 系列 InGaAs-APD 适用于 1100 纳米到 1700 纳米的光谱范围。与锗 APD 相比，它们的噪声比明显改善，带宽相对于有源面积更大，灵敏度最高可达 1700 nm。 TO-46 外壳中的所有 APD 均可选配光纤耦合。 IAG 系列 IAG 系列具有大于 200 kW/cm² 的高损坏阈值。探测器的响应峰值为 1550 nm，有效区域直径为 80 µm、200 µm 和 350 µm。