雪崩光电二极管阵列 SAH Series

与光电倍增器类似，雪崩光电二极管用于检测极弱的光强。 Si APD 在 250 至 1100 纳米的波长范围内使用，InGAs 用作 APD 中的半导体材料，波长范围为 1100 至 1700 纳米。 现在，激光器件提供了硅 APD 阵列的 APD 阵列，在激光雷达和 ACC 中实现了新的应用。 SAH 系列 通常用于距离测量的飞行时间 (TOF) 传感器，例如在汽车安全感应应用中，激光器件提供线性 APD 阵列。 这些阵列 将低噪声、高灵敏度硅雪崩光电二极管结合在一个单片组件中，针对 800-900 nm 波长范围进行了优化。 其他特性包括低温度系数和元件之间仅 40 µm 的间隙。 阵列可以根据客户对阵列元件数量和尺寸的要求进行配置。14 引脚 DIL 封装中的 8、12 或 16 元阵列也可作为标准（可提供数据手册）。二维矩阵阵阵列目前正在开发中。