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... 当您需要满足高速数据通信的严格规范时，请使用我们的 850 nm 光电二极管阵列，并可选择 1、4 或 12 个通道。 这些高度可靠的高性能设备采用低电气寄生参数设计，最大数据速率高达 14 Gbps、28 G、50G 和 100G。它们具有低工作电压且采用顶部阳极和阴极配置，方便集成。 当您需要高响应度 (~0.60 A/W)、低暗电流（通常为几 pA）和低电容（~125 fF）时，请使用这些紧凑型阵列。它们符合卤素和 RoHS 标准。 ...
... 4x200Gbps500μm芯片间距1X4阵列背照PIN PD芯片 该4X112GBaud阵列800Gbps光探测器芯片，是背面入光和台面结构的高速PIN光探测器芯片，芯片背面集成透镜的尺寸是Ф80μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模910nm至1650nm波长，单通道可达200Gbps速率长波长的光接收器。 1.芯片背面集成Ф80μm透镜 2. 焊盘为GSG 结构,4X112GBaud阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 单通道速率:≥112GBaud 5. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... 该8X56Gbaud（8X112Gbps PAM4）阵列光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ20μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的4X112Gbps PAM4数字通信链接。 1. 焊盘为 GSG 结构，8×56GBaud 阵列 2. 芯片间距：500μm 3. 低暗电流和高带宽 4. 100% 测试和外观检测 5. 高可靠性：本产品符合 Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 6. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... 该4X56GBaud阵列400Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ16μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 1. 焊盘为 GSG 结构，4×56GBaud 阵列 2. 芯片间距：750μm 3. 低暗电流，高带宽 4. 100% 测试和外观检测 5. 高可靠性：本产品符合 Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 6 ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... 背照式光电二极管阵列 定制产品 Share on FacebookTweet about this on TwitterShare on LinkedInEmail this to someone 背照技术（BSI）用于面阵光电二极管阵列的生产制造，从而满足现代多层螺旋CT和容积CT扫描的要求。背照式二极管阵列可以与客户探测器的机械和数据采集接口很好地集成。 被反复验证的、优化的生产工艺和供应链确保了DT具有成本效益和高品质的传感器解决方案。DT的BSI技术可应用于医疗、工业和安检等领域。 优点 完全平铺的BSI光电二极管可以搭建超大面积探测器 BSI芯片以极高的精度安装在刚性基板上 光电二极管可以根据客户的要求定制形状和尺寸 优化的光电二极管工艺和防反射层保证了卓越的光响应 特点 通过柔性电缆或连接器连接到读出系统的模块 N型硅衬底，芯片非照射侧的P型阳极 倒装芯片组装技术用于内部互连 ...
Detection Technology
... 与光电倍增器类似，雪崩光电二极管用于检测极弱的光强。 Si APD 在 250 至 1100 纳米的波长范围内使用，InGAs 用作 APD 中的半导体材料，波长范围为 1100 至 1700 纳米。 现在，激光器件提供了硅 APD 阵列的 APD 阵列，在激光雷达和 ACC 中实现了新的应用。 SAH 系列 通常用于距离测量的飞行时间 (TOF) 传感器，例如在汽车安全感应应用中，激光器件提供线性 APD 阵列。 这些阵列 将低噪声、高灵敏度硅雪崩光电二极管结合在一个单片组件中，针对 ...
... OID7 6 p/n 光电二极管阵列芯片一 般说明 光学器件由一个 6 芯片硅 P/N 光电二极管阵列组成，输出信号具有高度均匀性。该器件提供了其最佳的性能反向偏置, 因为它是基于 PIN 二极管. 每个硅芯 片的有效面积为 2.5 x 1.1 mm2。高光响应率是由于在光电二极管有效区域上沉积的优化抗反射涂层。 暗电流非常适合高温应用。 包装材料是一种高品质的塑料材料，具有高 TG。 OID7 与 OID2 完全兼容，并采用新的设计，提高了组件的可靠性。 应用 增量编码器 ...
... 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 提供四种型号可选 峰值波长达830 nm 优点 高响应度 低电容 适用于SMT 高可靠性 ...
... 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 高响应度 低电容 高可靠性 峰值波长达830 nm ...
... 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 高响应度 低电容 适用于SMT 高可靠性 峰值波长达830 nm ...
... 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 高响应度 低电容 适用于SMT 高可靠性 峰值波长达830 nm ...
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