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... 该高速4X10Gbps光探测器芯片是 InGaAs/I InP PIN结构和正面光照型，其特点是高响应度、低电容和低暗电流:光敏区的尺寸是50um，且P、N焊盘设计在顶部以便于封装的焊线。主要和4X10Gbps四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4X10G bps光接收器和数据通信。 1. Φ50μm光探测窗口 2. 焊盘为GS结构，4X10Gbps阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 芯片间距：250μm ...
... 该底部光照型1X2阵列大光敏区的 InGaAs/InP PIN监视光探测器芯片，是平面结构，阳极和阴极位于芯片顶部，光照区位于芯片的底部，且底部的光敏区尺寸是Φ100μm，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度，主要应用于各种光功率的监测。 1. 基于SI InP 衬底的平面结构 2. 背照：Φ100μm光探测窗口 3. 1X2阵列，芯片间距：500μm 4. 高响应度 5. 低暗电流 6.阳极和阴极在顶部，正面焊线 7. -40℃到85℃的工作范围 8. ...
... 该 InGaAs/ inp1x8阵列监控PIN光电二极管芯片具有较大的有源面积，本产品的特点阳极在正面和阴极在背面，底部入光产品的光敏区尺寸是Φ100μm，在900nm ~ 1650nm波长范围内具有较高的响应度。主要应用于光功率的监测。 1. Φ100μm光探测窗口。 2. 1X8阵列，芯片间距:300μm。 3. 高响应度。 4. 低暗电流。 5. 阳极和阴极在顶部，共晶焊接。 6. 工作温度为-40°C至90°C。 7. 高可靠性:所有芯片均通过Telcordia ...