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... 硅 PIN 光电二极管 特点 封装类型：表面贴装 封装形式：12061206 尺寸（长 x 宽 x 高，单位：毫米）：4 x 2 x 1.05 应用 高速光电探测器 ...
... 该高速4X14Gbps光探测器芯片是GaAs正面入光的 PIN结构，其特点是高响应度、低电容和低暗电流；光敏区的尺寸是Φ70μm，阳极和阴极焊盘位于正面是便于TO-CAN封装的焊线。主要应用于光纤通道传输、10Gigabit以太网和多模通信等。 产品特点 1. Φ55μm光探测窗口 2. 低电容和低暗电流 3. 高响应度 4. 速率达到14Gbps 5. 芯片间距：250μm 6. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468 ...
... 该高速率100Gbps光电二极管芯片采用GaAs顶照 PIN结构。特点是高倍增，低电容，低暗电流，光敏面尺寸为Φ38μm，阳极和阴极键合垫在顶部，用于TO-CAN封装线键合，应用于光纤通道数据传输，100千兆以太网和多模通信等。产品尺寸是专门为非密封包装量身定做的。 产品特点 1. Φ38μm光探测窗口 2. 低电容，低暗电流，高响应度 3. GS焊盘设计 4. 芯片间距：250μm 5. 100%测试和外观检测 ...
... 说明 XSJ20T-3840-* CA-G43 设计用于高达 10 Gbps 数据速率的光通信系统。 它由一个高性能 APD、TIA（跨阻放大器）和芯片电容器组成，用于电源去耦。 这些芯片和组件组装成带有镜头盖和 5 针 TO46 接头的密封封装。 特点 ● 高灵敏度 10G 雪崩光电二极管。 ● 典型灵敏度值-27.5dBm = 1E-12，-33dBm = 1E-3。 ● 5 针 TO46 带短镜头盖密封包装。 ● 符合标准，符合标准。 应用 ● 10G PON ONU，以太网。 ...
... InGaAs 雪崩光电二极管用于检测 1100 纳米到 1700 纳米光谱范围内的光。它们的噪声明显低于锗二极管。 1100 - 1700 纳米砷化镓雪崩光电二极管 这些 InGaAs 雪崩光电二极管可探测 1100 纳米到 1700 纳米的光谱范围。IAG 系列 APD 具有特别高的损坏阈值。两者均采用 TO-46 外壳封装。 砷化镓 APD 系列 InGaAs-APD 适用于 1100 纳米到 1700 纳米的光谱范围。与锗 APD 相比，它们的噪声比明显改善，带宽相对于有源面积更大，灵敏度最高可达 ...
... PD-LD 公司提供各种标准和定制 PIN 光电二极管和 APD 是经过验证的光纤耦合封装。 我们的锗器件适用于 800 纳米至 2100nm。 所有器件均采用光纤同轴封装或连接器式插座封装。 ...
... 高可靠性Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA 接收器光学分组件 (ROSA) 产品，专门为 XFP 收发器设计，可在高达 10G 的高速应用中提供出色的性能。 该产品集成了 PIN 和 TIA 芯片，采用定制的密封式 TO46 封装。 每个器件都使用专有的对齐算法主动对齐精密 OSA 外壳，并根据精确要求进行测试。 可选的受控阻抗柔性 OSA-PCBA 连接器为用户提供了最佳性能。 功能 可处理高达 10G 的数据速率， 支持 ...
LUMENTUM
... SG01S-18是一种宽带SiC紫外线光电二极管，具有极强的辐射硬度、近乎完美的可见盲区、低暗电流、高速和低噪音的独特性能。这些特性使SiC成为现有可见光盲区半导体紫外线探测器的最佳材料。 SiC探测器可以在高达170°C（338°F）的温度下永久运行。信号的温度系数（响应性）也很低，< 0,1%/K。由于噪声低（fA范围内的暗电流），可以可靠地测量非常低的紫外线辐射强度。 - 紫外线宽频 - 0.06mm2的检测器面积 - TO18密封的金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚 - 10 mW/cm2的辐照在280 ...
Scitec Instruments