雪崩光电二极管 C30683

InGaAs

概述
C30683 系列将雪崩光电二极管（APD）与高速跨导电阻放大器（TIA）集成于密封 TO-8 封装中，用于精密低光检测。型号支持硅（Si）和 InGaAs APD，系统带宽可达 450 MHz，具备低噪声等效功率（NEP）和差分输出，适用于高要求的光学检测和测距系统。

主要产品说明

• 内置负温度系数热敏电阻，用于监测 APD 温度并补偿高压偏置，保持稳定增益。
• APD 可选：硅（C30737，500 µm）；InGaAs（C30645，80 µm；C30662，200 µm）。
• 典型型号：C30683-900-R5DH、C30683-1550-R08DH、C30683-1550-R2BH。

特点

• APD 与第一级增益放大器集成于密封 TO-8 封装中
• 可选硅或 InGaAs 探测器
• 系统带宽最高可达 450 MHz（视型号而定）
• 50 Ω 交流负载能力（AC 耦合）
• 放大器工作电压：+3.3 V
• 差分输出以降低噪声影响

应用

• LiDAR 与测距
• 自由空间光通信
• 极低光检测与分析仪器
• 分布式温度传感（DTS）
• 共焦显微镜与光子学测试设备

规格

• 系列：C30683
• 封装：密封 TO-8，集成 APD 与第一级增益放大器
• APD 选项与典型尺寸：硅（C30737，500 µm）；InGaAs（C30645，80 µm；C30662，200 µm）
• 响应度：视型号而定，最高 550 kV/W（900 nm）或 120 kV/W（1550 nm）
• NEP：最低可达 37 fW/√Hz（视型号而定）
• 系统带宽：最高可达 450 MHz（视型号而定）
• 负载能力：50 Ω AC（AC 耦合）
• 放大器电源：+3.3 V
• 输出：差分
• 温度监测：用于 APD 温度补偿的内置热敏电阻