概述主要优点
每个表面的精度:在纳米结构和曲面 3D 基底面上实现超薄保形涂层优化高产能:气体的空间分离提高了生长率;一次运行即可生产多个晶片根据您的需求量身定制:双面镀膜无需翻转,减少了周期时间和颗粒风险材料灵活性:材料灵活性高,前驱体利用率高,可实现经济高效的扩展原位光学监控:OMS 6000 闭环控制可实现复杂的多层堆叠,并提供可重复的结果全面的晶圆厂集成:SMIF 和 FOUP 自动晶圆处理;符合 SEMI S2/S8;兼容 SECS:GEM
突出特点在 8 种基底上实现高达 0.5 nm/s 的高沉积速率可扩展格式,基底尺寸高达 300 mm;非均匀性 < ±1.0% 高保形性和应力中性涂层等离子体辅助低沉积温度< 100°C,适用于对温度敏感的基底支持多达 4 种不同的前驱体为精密光学器件和半导体生产线量身定制的低颗粒水平的实验室就绪洁净度原位光学监控系统 OMS 6000
应用半导体制造(硬掩膜、沟槽填充、栅极氧化物、封装)精密光学和光子集成(PIC、元表面、衍射光学元件)传感(近距离传感器、超光谱成像、激光雷达、CIS)照明和显示(LED、microLED、VCSEL、OLED)生命科学(显微镜、内窥镜)消费光学(智能手机和相机镜头、AR 眼镜)涂层工艺滤镜镜片AR 涂层沟槽填充屏障涂层栅极氧化物材料(示例
材料(示例)二氧化硅和各种氧化物材料TCO 材料组和根据需要提供的其他材料。
常见问题 - 须知何时使用 ALD?当光学质量、阻隔完整性和 3D 一致性至关重要时。等离子体增强型空间 ALD 可在低温下生成致密、应力中性的薄膜,并具有精确、可重复的层控制。空间 ALD 如何工作?空间 ALD 通过重复自限制表面反应沉积薄膜:前驱体化学沉积到基底上,在等离子区进行改性,然后逐层沉积,以实现精确的厚度控制和保形覆盖:在复杂的三维基底上,ALD 可提供卓越的保形性、无针孔薄膜和应力控制。
特性/技术参数型号:ALD 1200(莱宝光学)沉积方法:等离子体增强空间 ALD,等离子体辅助,单程双面基片容量:多晶片(最多 8 个基片)支持的最大基片尺寸:直径 300 毫米沉积速率:8 个基底上最高 0.5 纳米/秒工艺温度范围:50-230°C;等离子辅助低温选项< 100°C,用于对温度敏感的基底厚度均匀性:300 毫米(典型值)上的不均匀度< ±1.0%前驱体:支持多达 4 种不同的前驱体控制:原位光学监控 OMS 6000,用于多层堆栈的闭环控制清洁度:为精密光学和半导体生产线量身定制的低颗粒水平的工厂就绪清洁度集成:SMIF和FOUP自动晶圆处理;符合SEMI S2/S8标准;兼容SECS:GEM目标应用:半导体器件、精密光学、光子集成、传感、照明/显示、生命科学、消费光学。---