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电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 概述
- IPD900P06NM 是一款面向开关和电源管理应用的 P 沟道功率 MOSFET。
- 技术: OptiMOS™
- 极性: P (P 沟道)
- 典型封装: DPAK (TO-252)
主要电气参数
- 最大漏源电压 (VDS max): -60 V
- 最大导通电阻 (RDS(on) max): 90 mΩ
...
Infineon Technologies AG
电流: 40 A
电压: 40 V
... 产品概述
BSZ063N04LS6 是一款 40 V 额定的 OptiMOS 6 技术功率 N 沟道 MOSFET，专为
开关电源 (SMPS)、电池充电器和 ORing 应用设计。与前代相比，其 RDS(on) 约降低 30%，并符合 RoHS 要求。
主要特性
- 额定电压：40 V
- 工艺：OptiMOS 6
- 器件类型：N 沟道功率 MOSFET
- 导通电阻改进：RDS(on)
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG
电流: 20 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG
电流: 18 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 ...
Infineon Technologies AG
电流: 9 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG
电流: 101 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG
电流: 101 A
电压: 600 V
... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬 开关拓扑和谐振 开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明 ...
Infineon Technologies AG