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电压: 60 V
... NPN 外延硅 晶体 管 应用 该产品用途广泛，适用于多种不同应用。 ...
Onsemi
电流: 15 A
电压: 60 V - 120 V
... 该双极功率 晶体 管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路，或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。 ...
Onsemi
电流: 15 A
电压: 60 V - 120 V
... 该双极功率 晶体 管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路，或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。 ...
Onsemi
电流: 10 A
电压: 100 V
... 双极功率 晶体 管设计用于通用放大器和 开关应用，器件的安装表面需要与散热片或机箱电气隔离。 特点 TO-220 型隔离包封封装 电气特性与常用的 2N6388、2N6668、TIP102 和 TIP107 相似 100 VCEO（sus） 10 A 额定集电极电流 无需隔离垫圈 降低系统成本 高直流电流增益 1000（最小值）@ IC = 5.0 Adc 高隔离电压（高达 4500 VRMS） 外壳 ...
Onsemi
电流: 800 A
电压: 1,200 V
... NXH800H120L7QDSG 是一款额定半桥 IGBT 功率模块。集成的场截止沟道 7 IGBT 和第 7 代二极管可降低传导损耗和 开关损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。 应用 直流-交流转换 直流-直流转换 交流-直流转换 终端产品 储能系统 太阳能逆变器 电机驱动器 不间断电源系统 (UPS) 功能 现场停止沟槽 7 IGBT 和 Gen.7 二极管 2 合 1 半桥配置 IGBT 电源模块 隔离底板 NTC 热敏电阻 可焊接引脚 低电感布局 ...
Onsemi
电流: 800 A
电压: 1,200 V
... SNXH800H120L7QDSG 是一款额定半桥 IGBT 功率模块。集成的场截止沟道 7 IGBT 和第 7 代二极管可降低传导损耗和 开关损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。 应用 直流-交流转换 直流-直流转换 交流-直流转换 终端产品 商用农用车 (CAV) 功能 现场停止沟槽 7 IGBT 和 7 代二极管 2 合 1 半桥配置 IGBT 电源模块 隔离底板 NTC 热敏电阻 可焊接引脚 低电感布局 ...
Onsemi
电流: 8 A
电压: 600 V
... 这款 IGBT 采用先进的 PowerMESH™ 工艺，在 开关性能和低导通特性之间实现了出色的权衡。 所有特性 更低的导通压降（VCE(sat) 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的 CRES / CIES 比率（无交叉传导电感） 短路耐受时间 10µs ...
STMicroelectronics
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在 开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在 开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在 开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics
电流: 30 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH工艺，在 开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 低导通电压降（VCE(sat)）。 短路耐受时间10μs 低Cres/Cies比率（无交叉传导敏感度） IGBT与超快速自由旋转二极管共同封装 ...
STMicroelectronics
电流: 0.8 A
电压: 50 V
... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极 晶体 管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...
电压: 20, 50 V
... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体 管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速 开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...
Diodes Incorporated
电压: 11 V
... 3.2GHz 统一增益，适用于射频 开关应用 - 完全无铅，符合 RoHS 规范（注释 1 和 2） - 无卤素和锑。"绿色 "器件（注 3） - 符合 AEC-Q101 高可靠性标准 - 符合 P... 标准（注 4） 应用 - 射频 开关 ...
Diodes Incorporated
电压: 50, 60, 7 V
... 中央半导体 CMKT3920（两个单 NPN 晶体 管）是一种双通道组合，采用节省空间的 SOT-363 ULTRAmini™ 封装，专为小信号通用放大器和 开关应用而设计。 标记代码K20 特性： - ULTRAmini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体 管 应用： 负载 开关 - ...