{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 概述
- IPD900P06NM 是一款面向开关和电源管理应用的 P 沟道功率 MOSFET。
- 技术: OptiMOS™
- 极性: P (P 沟道)
- 典型封装: DPAK (TO-252)
主要电气参数
- 最大漏源电压 (VDS max): -60 V
- 最大导通电阻 (RDS(on) max): 90 mΩ
产品标识与分类
- Manufacturer:
Infineon Technologies AG
电压: -60 V
... 英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 大多数产品符合AEC Q101标准 宽广的RDS(on)范围 提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -6.5 A
电压: -60 V
... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -3.2 A
电压: -60 V
... 的主要优势在于简化了中低功率应用的设计复杂度。其与微控制器（MCU）的便捷接口、快速开关性能以及 雪崩耐受能力，使英飞凌的OptiMOS™功率MOSFET非常适合对质量要求较高的应用。 特点 低导通电阻 100% 经过 雪崩测试 逻辑电平 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准 通过工业应用认证 优势 与 MCU 接口简便 低负载下效率更高 快速开关 具备 雪崩耐受能力 ...
Infineon Technologies AG
... 低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供逻辑电平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -100 A
电压: -60 V
... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -0.29 A
电压: -60 V
... 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗 雪崩能力强，适合要求高质量的应用。 特性 100% 雪崩测试 逻辑级别 无铅电镀；符合 RoHS 规定 符合工业应用要求 产品优势 轻松与 MCU 接口 低负载下效率提高 快速切换 雪崩强度 ...
Infineon Technologies AG
电流: -0.55 A
电压: -60 V
... 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗 雪崩能力强，适合要求高质量的应用。 特性 100% 雪崩测试 逻辑级别 无铅电镀；符合 RoHS 规定 符合工业应用要求 产品优势 轻松与 MCU 接口 低负载下效率提高 快速切换 雪崩强度 ...
Infineon Technologies AG
电流: -3.2 A
电压: -60 V
... 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗 雪崩能力强，适合要求高质量的应用。 特性 低导通电阻 100% 雪崩测试 逻辑级别 无铅电镀；符合 RoHS 规定 符合工业应用要求 产品优势 轻松与 MCU 接口 低负载下效率提高 快速切换 雪崩强度 ...
Infineon Technologies AG
电流: -22 A
电压: -60 V
... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG