去耦电容器

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芯片式电容器
芯片式电容器
LPSC series

电容: 10 nF - 3,300 nF
电压: 11, 30 V

... LPSC系列能以100μm的厚度(需要时也能薄至80μm),实现对附加电压的极高稳定性、超低漏电流、高级性能,特地为注重集成化的用途而研制,包括天线的匹配器、RF滤波器、活性芯片的去藕装置等限制高度和尺寸的器件,特别是智能卡、RFID标签、医疗设备等。LPSC分为下列2个系列: LPSC系列:最适合容量范围为47pF to 1μF,需要超高去藕特性的用途,包括嵌入技术、模块、系统和封装。 ESD增强系列:容量范围为47pF to 330pF,作为RFID的元件长期有效工作。通过对基本单元进行完整建模,成功地将ESD性能优化至最大8kV(参照下面的“特点”)。并且,通过微调RFID硅电容器的容量,可将SRF提高至最大3GHz,能够在13.56MHz ...

金属化聚丙烯膜电容器
金属化聚丙烯膜电容器
HCL series

电容: 0.001 µF - 47 µF
电压: 50 V - 1,250 V

... ■ 金属化聚酯膜,无感卷绕结构 ■ 体积小,自愈性能优异 ■ 外包聚酯胶带,两端灌注阻燃环氧树脂 主要用途 ■ 主要用于电子线路的隔直、旁路和耦合(去耦) HCL23 产品特性 ■ 可靠性高 ■ 高金属化聚酯膜,无感卷绕结构 ■ 塑料外壳(UL94V-0 ),阻燃环氧填充 主要用途 ■ 旁路,隔直,耦合,退耦 ■ 脉冲,逻辑,定时,振荡电路 ...

SMD电容器
SMD电容器
GRM series

电容: 0 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V

... 我公司的主打产品引进了超高端的技术,并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 要用途 - 1. 额定电压100V以下 高介电常数型・・・去耦、平滑电路用 温度补偿型・・・调谐电路、振荡电路、高频滤波电路用 2. 额定电压200V以上 高介电常数型・・・钳位缓冲电路、平滑电路用 温度补偿型・・・电源缓冲阻尼器 ...

陶瓷电容器
陶瓷电容器
NON MAGNETIC CHIPS SERIES NPO

电容: 0.01 nF - 10 nF
电压: 63 V - 500 V

... 主要特性 -小型化 -高热和电压稳定性 -非磁端接 典型应用 -去耦 -精密 -滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
NON MAGNETIC CHIPS SERIES X7R

电容: 0.47 nF - 1,000 nF
电压: 63 V - 500 V

... 主要特性 -小型化 -高电容值 -非磁端接 典型应用 -去耦 -直流滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
NON MAGNETIC CONFORMAL COATED SERIES

电容: 150 nF - 1,000 nF
电压: 63 V - 500 V

... 主要特 性-高 Rel 电容器 -径向引线 典型应用 -去耦 -直流滤波 ...

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陶瓷电容器
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OP series

电容: 0.01 nF - 4,700 nF
电压: 10 V - 100 V

... 主要特性 -小型化 -开模技术 -无短路 典型应用 -去耦 -滤波 ...

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陶瓷电容器
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TCE AXIAL SERIES

电容: 0.001 nF - 150 nF
电压: 25 V - 500 V

... 主要特性 -高 Rel 电容器 -轴向引线 -高热和电压稳定性 典型应用 -去耦 -滤波 ...

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TCE CONFORMAL COATED SERIES

电容: 0.001 nF - 270 nF
电压: 25 V - 500 V

... 主要特性 -高 Rel 电容器 -径向引线 -高热和电压稳定性 典型应用 -去耦 -滤波 ...

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