去耦电容器

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
CN series

电容: 10 µF - 47 µF
电压: 10 V - 50 V

... 概述
TDK 将 CN 系列多层陶瓷电容器(MLCC)扩展为新的低电阻软端接类型。设计仅在板装侧覆盖树脂层,使电流可在树脂层外通过,从而较传统软端接 MLCC 降低端子电阻。

要点

  • 树脂层仅覆盖 PCB 安装侧
  • TDK 独有结构兼顾软端接特性与降低电阻
  • 大电容选项:3216 尺寸最高 22 μF,3225 尺寸最高 47 μF
  • 提供汽车级(CNA 系列,符合 AEC-Q200)和通用级(CNC
...

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TDK Electronics Europe
电解电容器
电解电容器
B4 series

电容: 16 µF - 680,000 µF
电压: 16 V - 600 V

... 概述
带螺丝端子的铝电解电容器。本页面提供带螺丝端子铝电解电容器系列的数据表、技术信息和参数检索,适用于工业和电源应用。

可用的技术信息 / 文件

  • 类型概述
  • 主要应用
  • 一般技术信息
  • 质量与环境
  • 选择图表
  • 概述(螺丝类型)
  • 通用(螺丝)
  • 附件
  • 注意事项与警告

代表性系列数据(摘录)
系列 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
MLCC

电容: 0 µF - 1 µF

... 产品概述

  • 类型:多层陶瓷贴片电容(MLCC)
  • 品牌:TDK
  • 安装方式:SMD(表面贴装)
  • 电容范围:从pF到低µF
  • 介质选项:C0G、X7R、X5R等


技术规格
  • 可提供适用于工业应用的多种额定电压和温度特性
  • 以标准SMD封装尺寸和常用端接方式供应
  • 电气性能依所选介质和封装而定


典型应用
  • 电源管理电路中的去耦与滤波
  • 信号调理、定时电路及射频电路
  • 汽车、通信、消费电子及工业设备


合规性与可靠性
  • 符合RoHS;如需符合汽车或行业资质的型号,请提出要求
  • 按照TDK质量流程制造—可靠性数据请参考数据表


订购与支持
  • 包装选项:卷带、带卷(tape-and-reel)、散装
  • 数据表、样品及交期信息:请提供零件号以便供应商提供详细信息
...

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TDK Electronics Europe
陶瓷电容器
陶瓷电容器

电容: 0 µF - 4.7 µF
电压: 16 V - 500 V

... 产品概述

  • TDK生产的多层陶瓷电容(MLCC),带镀锡径向引线,适用于通孔安装。
  • 类别:电容器 > 陶瓷 > 带引线MLCC。
  • 形状:径向/浸镀引线,适配波峰焊和手工焊接工艺。
  • 典型电容范围:从几皮法到数微法不等,取决于介质和封装尺寸。
  • 典型额定电压:从低压去耦到更高电压应用(常见范围示例:约16 V至数百伏)。


技术要点
  • 介质选项:NP0/C0G、X7R、Y5V等,按稳定性和容量密度选择。
  • 引线表面处理:镀锡(dipped)以提高可焊性和机械固定性。
  • 电气特性:提供多种容差和温度系数;低ESR型号适用于去耦与滤波。
  • 机械参数:不同的引线直径与间距;适用于通孔装配的稳固安装。
  • 装配与工艺:兼容标准波峰焊和选择性焊接工艺;根据具体介质和容量确认焊接曲线。


典型应用
  • 工业与嵌入式电子的电源去耦与旁路。
  • 模拟与数字电路中的滤波与耦合。
  • 定时电路、脉冲应用以及通孔PCB通用组件装配。
  • 适用于工业控制、仪器仪表、照明电子及工业通孔设计。


合规与包装
  • 合规性:通常符合RoHS与REACH;无卤选项和特定认证根据具体型号提供。
  • 包装选项:散装、管装或按带/卷供货以适应自动插装,视引线样式而定。
  • 储存与搬运:遵循陶瓷元件的标准湿度与温度要求以避免机械应力。


订购信息
  • 型号编码通常包含电容、额定电压、介质、容差、引线处理和包装——请在TDK目录中确认精确代码。
  • TDK可提供数据表及电气/机械图纸;如需资格认证请索取样品和测试数据。
  • 有关交期、最小起订量和定制包装,请联系TDK销售或授权分销商。
...

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TDK Electronics Europe
芯片式电容器
芯片式电容器
LPSC series

电容: 10 nF - 3,300 nF
电压: 11, 30 V

... LPSC系列能以100μm的厚度(需要时也能薄至80μm),实现对附加电压的极高稳定性、超低漏电流、高级性能,特地为注重集成化的用途而研制,包括天线的匹配器、RF滤波器、活性芯片的去藕装置等限制高度和尺寸的器件,特别是智能卡、RFID标签、医疗设备等。LPSC分为下列2个系列: LPSC系列:最适合容量范围为47pF to 1μF,需要超高去藕特性的用途,包括嵌入技术、模块、系统和封装。 ESD增强系列:容量范围为47pF to 330pF,作为RFID的元件长期有效工作。通过对基本单元进行完整建模,成功地将ESD性能优化至最大8kV(参照下面的“特点”)。并且,通过微调RFID硅电容器的容量,可将SRF提高至最大3GHz,能够在13.56MHz ...

金属化聚丙烯膜电容器
金属化聚丙烯膜电容器
HCL series

电容: 0.001 µF - 47 µF
电压: 50 V - 1,250 V

... ■ 金属化聚酯膜,无感卷绕结构 ■ 体积小,自愈性能优异 ■ 外包聚酯胶带,两端灌注阻燃环氧树脂 主要用途 ■ 主要用于电子线路的隔直、旁路和耦合(去耦) HCL23 产品特性 ■ 可靠性高 ■ 高金属化聚酯膜,无感卷绕结构 ■ 塑料外壳(UL94V-0 ),阻燃环氧填充 主要用途 ■ 旁路,隔直,耦合,退耦 ■ 脉冲,逻辑,定时,振荡电路 ...

SMD电容器
SMD电容器
GRM series

电容: 0 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V

... 我公司的主打产品引进了超高端的技术,并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 要用途 - 1. 额定电压100V以下 高介电常数型・・・去耦、平滑电路用 温度补偿型・・・调谐电路、振荡电路、高频滤波电路用 2. 额定电压200V以上 高介电常数型・・・钳位缓冲电路、平滑电路用 温度补偿型・・・电源缓冲阻尼器 ...

陶瓷电容器
陶瓷电容器
NON MAGNETIC CHIPS SERIES NPO

电容: 0.01 nF - 10 nF
电压: 63 V - 500 V

... 主要特性 -小型化 -高热和电压稳定性 -非磁端接 典型应用 -去耦 -精密 -滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
NON MAGNETIC CHIPS SERIES X7R

电容: 0.47 nF - 1,000 nF
电压: 63 V - 500 V

... 主要特性 -小型化 -高电容值 -非磁端接 典型应用 -去耦 -直流滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
NON MAGNETIC CONFORMAL COATED SERIES

电容: 150 nF - 1,000 nF
电压: 63 V - 500 V

... 主要特 性-高 Rel 电容器 -径向引线 典型应用 -去耦 -直流滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
OP series

电容: 0.01 nF - 4,700 nF
电压: 10 V - 100 V

... 主要特性 -小型化 -开模技术 -无短路 典型应用 -去耦 -滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
TCE AXIAL SERIES

电容: 0.001 nF - 150 nF
电压: 25 V - 500 V

... 主要特性 -高 Rel 电容器 -轴向引线 -高热和电压稳定性 典型应用 -去耦 -滤波 ...

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陶瓷电容器
陶瓷电容器
TCE CONFORMAL COATED SERIES

电容: 0.001 nF - 270 nF
电压: 25 V - 500 V

... 主要特性 -高 Rel 电容器 -径向引线 -高热和电压稳定性 典型应用 -去耦 -滤波 ...

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