去耦电容器

电容: 10 nF - 3,300 nF
电压: 11, 30 V

LPSC系列能以100μm的厚度（需要时也能薄至80μm），实现对附加电压的极高稳定性、超低漏电流、高级性能，特地为注重集成化的用途而研制，包括天线的匹配器、RF滤波器、活性芯片的去藕装置等限制高度和尺寸的器件，特别是智能卡、RFID标签、医疗设备等。LPSC分为下列2个系列： LPSC系列：最适合容量范围为47pF to 1μF，需要超高去藕特性的用途，包括嵌入技术、模块、系统和封装。 ESD增强系列：容量范围为47pF to 330pF，作为RFID的元件长期有效工作。通过对基本单元进行完整建模，成功地将ESD性能优化至最大8kV（参照下面的“特点”）。并且，通过微调RFID硅电容器的容量，可将SRF提高至最大3GHz，能够在13.56MHz ...

电容: 10, 1 nF
电压: 25 kV - 200 kV

... 电容器是坚固耐用的，用于室内操作。绝缘层是强化的环氧玻璃纤维管，里面充满油。 当与可选的测量阻抗（AKV/AQS）一起使用时，将部分放电信号与被测设备（DUT）分离。 测量工业频率范围内的交流电压（当与可选的二级单元（SEK）一起使用时）。 衰减来自高压侧的干扰，提高PD测量电路的信噪比（SNR）（与可选的高压滤波器一起使用）。 标准设计包括一个带旋转脚轮的底架，用于移动和一个适当的上环形物。 特点 - 带有重型旋转脚轮的底架 - 高稳定性的电容值 ...

电容: 0.001 µF - 47 µF
电压: 50 V - 1,250 V

■ 金属化聚酯膜，无感卷绕结构 ■ 体积小，自愈性能优异 ■ 外包聚酯胶带，两端灌注阻燃环氧树脂 主要用途 ■ 主要用于电子线路的隔直、旁路和耦合(去耦) HCL23 产品特性 ■ 可靠性高 ■ 高金属化聚酯膜，无感卷绕结构 ■ 塑料外壳(UL94V-0 )，阻燃环氧填充 主要用途 ■ 旁路，隔直，耦合，退耦 ■ 脉冲，逻辑，定时，振荡电路

电压: 110 V - 600 V

产品特点：无感应结构，自愈性能优异，高耐温特性，高容量且尺寸紧凑等特点； 执行标准：满足《UL810-2008》标准； 产品用途：耦合、离合、旁路及定时回路；自动控制系统及通讯设备；充放电、照明、噪音抑制及频率调制。

电容: 0 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V

我公司的主打产品引进了超高端的技术，并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 要用途 - 1. 额定电压100V以下 高介电常数型・・・去耦、平滑电路用 温度补偿型・・・调谐电路、振荡电路、高频滤波电路用 2. 额定电压200V以上 高介电常数型・・・钳位缓冲电路、平滑电路用 温度补偿型・・・电源缓冲阻尼器

电容: 0.1 nF - 1,000 nF
电压: 25 V - 63 V

... 主要特 性-高 Rel 电容器 -径向引线 典型应用 -去耦 -直流滤波 ...