内存模块

9 个企业 | 57 个产品
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内存模块
内存模块
BNI IOL-910-002-K060

... 在 IO-Link 存储器模块上可以记录并保存许多参数:从工具的操作数据,到操作期间温度水平和所需功率水平的直方图,到工具中的工具周期数和错误信息。 这样,在工厂的维护或维修期间,操作数据以及补充信息始终可用。 ...

非易失性内存模块 / 高速
非易失性内存模块
Phantom CineFlash

内存: 240 GB

... 幻影 CineFlash 是 Phantom Miro M 系列产品系列的强大组件,使 Cine 原始镜头能够从相机的 RAM 快速传输到安全、非易失性的存储空间。 这些轻巧的固态存储设备可热插拔,可让您随时随地拍摄。 幻影影闪存驱动器有几个好处: 安全性。 立即将高速图像从摄像机的动态 RAM 保存到 CineFlash 非易失性存储器,以便您获得拍摄的安全副本。 生产力。 无需在每次拍摄后下载文件,这意味着缩短拍摄之间的停机时间。 质量。 保存到 CineFlash ...

SO-DIMM内存模块 / DDR4
SO-DIMM内存模块
DDR4 ECC SODIMM

内存: 8, 4, 32, 16 GB

... 小型双直列存储器模块 单错误校正和检测可用 于经过全面测试和优化的稳定性和性能 使用原始 IC 符合严格的工业标准 抗硫化保护,针对恶劣环境 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 操作环境:0°C ~ 85°C 30μ" 金指 RoHS 符合 C /CC 认证 DDR4 ECC SODIMM 提供业界最快的内存速度,并与英特尔® 纯平平台完全兼容。 这些模块配备 30μ” 金色手指,包括单位误差校正,专为网络和服务器使用而设计。 所有产品均提供 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 ECC UDIMM

内存: 4, 8, 16 GB

... 产品具有 单次纠错和检测功能, 经过全面测试和优化的稳定性和性能, 使用原装 IC 符合严格的工业标准 抗硫化保护,以防恶劣环境 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 操作环境:0°C ~ 85温度 30μ 英寸金指 RoHS 符合 C/C CC 认证 ============== 概述: DDR4 ECC UDIMM 提供业界最快的记忆速度,2666Mt/s。模块配备 30μ 英寸金指,并包含单位误差校正功能。 这些模块提供 4GB、8GB 和 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 ECC UDIMM VLP

内存: 4, 8, 16 GB

... 产品特点 非常扁平,专门用于 1U 系统 单一误差校正和检测提供 经过全面测试和优化的稳定性和性能 使用原始 IC 符合严格的工业标准, 抗硫化保护,抗恶劣环境 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 操作环境:0°C ~ 85°C 30μ" 金指符 合标准 /FCC 认证 =========== 概述: DDR4 ECC UDIMM VLP 提供了一个非常低调的设计和业内最快的内存速度,并且与英特尔® Purly 完全兼容平台和 1U 设备。 这些模块配备 ...

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Innodisk Corporation
DDR3内存模块
DDR3内存模块
DDR3 8Gbit

内存: 8, 16, 32 GB

... 随着 DRAM 市场稳步迁移到 DDR4 存储器,几家主要制造商已经宣布生产基于高密度 DDR3 8 Gbit 元件的 DDR3 模块,包括元件的 EOL 通知。 然而,网络和嵌入式行业的相当多的客户仍然无法转换到最新一代,并继续使用需要特定 DDR3 存储器的传统系统,如 VLP RDIMM 或高密度 SO-DIMM。 为了避免可能对这些客户的业务运营产生不利影响的供应短缺,ATP 决定为这些模块提供自己的 DDR3 8 Gbit 组件。 ATP 制造、特性和测试从 ...

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ATP Electronics
DRAM内存模块 / 高速
DRAM内存模块
DDR4

内存: 4, 8, 16, 32, 128 GB

ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压,与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。 作为从DDR3演进而来的新一代规格,DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。 ddr4 - 2666 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块,针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s,理论峰值性能提高了15%,充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。 特点介绍 容量:4GB ...

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ATP Electronics
DDR3内存模块
DDR3内存模块
DDR3

内存: 1, 2, 4, 16, 32 GB

可工作在1.5V(正常)和1.35V(低电压),传输速度高达1866 MT/s, ATP DDR3内存模块可提供更好的性能,同时功耗明显低于DDR2内存。 ATP DDR3内存模块支持英特尔® Core™ i7系列处理器,AMD AM3 Phenom™处理器,以及AMD最新的嵌入式企业级芯片组。DDR3内存模块与前一代内存模块不兼容,连接器上对齐缺口的设计可防止它们插入不兼容的插槽。 ATP提供各种外形的DDR3 内存模块,包括SO-DIMM、Mini-DIMM、窄板型(LP)、VLP(Very ...

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ATP Electronics
DDR4内存模块
DDR4内存模块
H5AN series

内存: 4, 8, 16 GB

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Hynix
DRAM内存模块
DRAM内存模块
UDIMM series

内存: 2, 4, 8, 16 GB

Apacer UDIMM (Unbuffered DIMM) はJEDEC準拠のモジュールで、デスクトップコンピュータ/産業用コンピュータおよび組込システムに適するように設計されています。最高品質の純正DRAMチップで製造され、厳格なテストと互換性の検証を行っており、非常に安定性および互換性が高いハイパフォーマンスメモリーモジュールです。

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Apacer
DRAM内存模块
DRAM内存模块
M378A1K43BB1-CPB

... 全球市场中久经考验的 D RAM 模块解决方案三星的存储器模块专为各种应用而设计,以低功耗要求提供最佳性能。 支持 x8 / x16 组织/每个 DIMM 和 2DPC 配置最多 2 个行列无缓冲区或寄存器:更小的延迟值应用程序:桌面 ...

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Samsung Semiconductor
内存模块
内存模块
IC-Mxx series

... M-Bus 脉冲存储器模块 IC-M2 /IC-M2C IC-M 脉冲存储器模块便于将仪表脉冲转换为 M-Bus 可读仪表站立。 基于第二类功耗计,带脉冲发生器可以设置为完整的 M-Bus 从站。 因此,每个数据远程传输都可以通过 M-Bus 集中记录来自电力、气体、热量或水表的消耗数据。 IC-M2 和 IC-M2C 模块可通过外部关税控制设置为 2 电费计数器(HT 和 NT)。 IC -M12 连接 12 个无电位脉冲发生器(簧片触点、光耦合器、开集器) 负载配置文件通过实时时钟或者通过外部脉冲 IC-M1 ...

闪存内存模块
闪存内存模块
SIHIdataUSB

... Sihidatausb 趋势数据存储器是用于存储由 SihiDetect 传感器获取的振动数据的理想解决方案,可作为振动分析的简单通信接口。 独立于安装(独立或 DCS 集成),可将状态数据记录到 USB 闪存驱动器,持续时间长达 3 年,并进行永久测量。 通过使用 SihivibroSoft 软件可以专业地分析这些状态数据,可以评估机器的当前状态,因此可以在早期阶段启动进一步的行动。 与生 产过程相关的振动 数据在准确的定时(日期、时间)状态监测进行在线趋势数据分析,以降低生命周期成本,提高工厂可用性并优化工艺。 ...