{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
内存: 8, 16, 32 GB
... Apacer工业级DDR5 CUDIMM内存模块率先采用全无铅电阻设计，无需欧盟RoHS指令豁免，为环保达标设定了新标准。该工业级内存模块采用优质专业级时钟驱动器（CKD）元件和瞬态电压抑制器（TVS）二极管作为双核心技术，专为高性能计算（HPC）和人工智能（AI）应用而设计。 针对要求无与伦比的稳定性和可靠性的工业环境，DDR5 CUDIMM 集成了优质的工业级 CKD 组件。这些元件具有出色的信号驱动和缓冲能力，可降低高速运行时的噪音和抖动，从而显著提高数据传输的准确性和系统稳定性。先进的 ...
Apacer Technology B.V.
内存: 8, 16, 32 GB
... 针对要求无与伦比的稳定性和可靠性的工业环境，DDR5 CSODIMM 集成了优质的工业级 CKD 元件。这些元件具有卓越的信号驱动和缓冲能力，可降低高速运行时的噪音和抖动，从而显著提高数据传输的准确性和系统稳定性。先进的 TVS 设计可为瞬态电压波动提供强大的保护，从而保障模块和关键系统组件的安全。这使得 DDR5 CUDIMM 特别适合工业自动化等高风险应用场合。 此外，它们还集成了片上 ECC 机制，大大增强了 DRAM IC 的可靠性、可用性和可维护性。另一方面，Apacer 的 DDR5 ...
Apacer Technology B.V.
内存: 16, 8, 32 GB
... 首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块，避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V)，高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制，提升可靠度 288-pin，DDR5 无缓冲双列内存模块 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...
Apacer Technology B.V.
内存: 1 MB
安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) ...
内存: 32 GB - 128 GB
... SK hynix 专门为高性能计算开发了 MRDIMM（多路复用级双列直插式内存模块），它基于 16Gb 或 24Gb DDR5 SDRAM 设备，通过同时访问子通道内的级来提高带宽。 带宽轻松超过 8Gbps 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 MRDIMM 的数据传输速率为 8.8Gbps，与数据传输速率为 6.4Gbps 的其他 DDR5 产品相比，性能至少提高了 37%。通常情况下，当 CPU 运算速度超过 DRAM 处理速度时，由于处理速度的差距越来越大，就会出现性能瓶颈。通过开发提供高带宽的MRDIMM，我们解决了这一*瓶颈，提高了用于人工智能和高性能计算的服务器的性能。 *瓶颈：瓶颈指的是交通流中的拥堵，通常发生在道路宽度不同的桥梁或隧道入口处，由于交通信号灯的等待时间而导致交通堵塞。在计算领域，瓶颈指的是系统性能减慢和流程效率降低，通常是由于计算机系统中组件的等级不匹配造成的。 与传统 ...
SK hynix
内存: 16, 8, 4, 32 GB
... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT（宽温）SODIMM 设计紧凑，具有 3200MT/s 的业界最快内存速度，非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...
Innodisk Corporation
内存: 2, 4, 8 GB
... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块，使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 204 引脚 ...
KingSpec
内存: 4, 8, 16, 32, 128 GB
... ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压，与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。 作为从DDR3演进而来的新一代规格，DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。 ddr4 - 2666 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块，针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s，理论峰值性能提高了15%，充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。 特点介绍 容量：4GB ...
ATP Electronics
内存: 16, 8 GB
... 原装颗粒提高电脑性能 精选原厂颗粒，严格检验流程，6层PCB板，性能稳定。 优秀的兼容性 内存产品已通过市场上主流品牌的主板兼容性测试 兼容性，确保系统长期稳定运行。 镀金工艺金手指 镀金工艺，导电性和耐腐蚀性更强。 ...
Netac Technology Co.,Ltd.
内存: 4 GB
... 内存模块 4GB DDR3 ECC SO-DIMM 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, 双面, -40...+85C 内存 频率 1600 兆赫 触点数 204 ECC 有 电压 1.35V、1.5V 外形 SO-DIMM 工作条件 工作温度 -40..85 °C 尺寸 净重 0.02 千克 毛重 0.02 千克 ...
... 现代PC使用不同类型的RAM。特别是对于嵌入式系统来说，获得高质量的DDR组件是很重要的，这些组件已经为你的模块、板卡和系统进行了评估，并且是长期可用的。我们提供来自不同制造商的SRAM和DRAM解决方案，并支持你为你的产品鉴定它们。 DRAM模块 我们的Dyanmic RAM组件是特别为满足嵌入式系统的要求而设计的。它们的特点是低功耗，因为有低电压选项。此外，DDR3或DDR4特别适用于要求高的图形应用，如果是DDR4，则适用于需要更高带宽的应用。如果你的应用需要传统系统的组件，如DDR1或DDR2，我们很愿意听到你的意见。我们还提供对内存的鉴定支持。 ...