工业内存模块

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DDR5 CUDIMM内存模块
DDR5 CUDIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

... Apacer工业级DDR5 CUDIMM内存模块率先采用全无铅电阻设计,无需欧盟RoHS指令豁免,为环保达标设定了新标准。该工业级内存模块采用优质专业级时钟驱动器(CKD)元件和瞬态电压抑制器(TVS)二极管作为双核心技术,专为高性能计算(HPC)和人工智能(AI)应用而设计。 针对要求无与伦比的稳定性和可靠性的工业环境,DDR5 CUDIMM 集成了优质的工业级 CKD 组件。这些元件具有出色的信号驱动和缓冲能力,可降低高速运行时的噪音和抖动,从而显著提高数据传输的准确性和系统稳定性。先进的 ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5 CSODIMM内存模块
DDR5 CSODIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

... 针对要求无与伦比的稳定性和可靠性的工业环境,DDR5 CSODIMM 集成了优质的工业级 CKD 元件。这些元件具有卓越的信号驱动和缓冲能力,可降低高速运行时的噪音和抖动,从而显著提高数据传输的准确性和系统稳定性。先进的 TVS 设计可为瞬态电压波动提供强大的保护,从而保障模块和关键系统组件的安全。这使得 DDR5 CUDIMM 特别适合工业自动化等高风险应用场合。 此外,它们还集成了片上 ECC 机制,大大增强了 DRAM IC 的可靠性、可用性和可维护性。另一方面,Apacer 的 DDR5 ...

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Apacer Technology B.V.
DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 16, 8, 32 GB

... 首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块,避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列内存模块 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 32, 16 GB

... 首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块,避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 262-pin,DDR5 小型双列直插式内存模块 (DDR5 SODIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5 RDIMM内存模块
DDR5 RDIMM内存模块

内存: 16, 32, 64, 128 GB

... 宇瞻的工业用DDR5 RDIMM采用原厂高质量DDR5 DRAM IC,在效能、容量、功耗及可靠性方面均有提升。宇瞻的 DDR5 RDIMM 配备 12V 电源管理 IC,可更有效地控制系统的电源负载。这有助于提高信号完整性并减少电路中的噪声。它还采用了两个高精度温度传感器,可精确跟踪所有温度变化,从而降低过热风险并提高性能。此外,它还受到片上 ECC 和边带 ECC 的保护,可为数据传输提供端到端保护,满足全天候运行的数据中心对 RAS(可靠性、可用性和可维护性)的要求。 RDIMM(ECC ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5 UDIMM内存模块
DDR5 UDIMM内存模块

内存: 16, 32 GB

... 首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块,避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 支持ECC纠错与校正 288-pin,DDR5 ECC 无缓冲双列内存模块 (DDR5 ECC UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 16, 32 GB

... 首創完全無鉛(Fully Lead-Free)記憶體模組,避免依賴RoHS 7(c)-Ⅰ的鉛豁免條款 新世代DDR5 ECC SODIMM工業級記憶體 採用DRAM原廠高品質新世代DDR5 DRAM晶片 On DIMM 配置電源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系統電源負載 On-die ECC糾錯機制,提升可靠度 支援ECC糾錯與校正 262-pin,DDR5 ECC 小型雙列直插式記憶體模組 (DDR5 ECC SODIMM) ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

... 采用VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 支援ECC纠错与校正 288-pin,DDR5 ECC 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 ECC UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

... 采用DRAM原厂高品质新世代DDR5 DRAM晶片 VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 4, 8, 16, 32 GB

... 抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备,如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域,以及使用于高浓度硫磺气体区域,如火山、温泉、与采矿区电子设备。 由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电,随着电阻被硫化,电阻的阻值逐渐增加,直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题,宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块,此创新研发设计亦已取得专利。 ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 WT SODIMM

内存: 16, 8, 4, 32 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT(宽温)SODIMM 设计紧凑,具有 3200MT/s 的业界最快内存速度,非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 WT RDIMM

内存: 32, 16, 8, 4 GB

... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V(1.26V~1.14V) 工作环境:-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT(宽温)RDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度,完全兼容 Intel® ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR2 WT SODIMM

内存: 2, 1 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.8V +/- 0.1V 工作环境:-40°C ~ 85°C 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR2 WT(宽温)SODIMM(小外型)是一种紧凑型内存模块,可方便地安装在任何嵌入式、监控和自动化设备中。该模块符合所有相关的 JEDEC 标准,可在 -40ºC 至 85ºC 温度范围内工作,容量为 ...

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Innodisk Corporation
DDR3内存模块
DDR3内存模块
DDR3 RDIMM

内存: 2, 8, 4 GB

... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) 和 1.35V (1.28V~1.45V) 工作环境:0°C ~ 85°C 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR3 RDIMM 是专为服务器和网络市场设计的工业内存模块,可提供持久的性能。模块配备 30μ"金手指,包括单比特纠错和寄存器,可增强时钟、命令和控制信号。容量有 ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 ECC SODIMM

内存: 8, 16, 4, 32 GB

... 小外形双列直插式内存模块 提供单一纠错和检测功能 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 ECC SODIMM 提供 3200MT/s 的业界最快无缓冲内存速度,与 Intel® Purely ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 UDIMM

内存: 8, 32, 4, 16 GB

... 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度,是任何监控、自动化和嵌入式应用的完美之选。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准,有 4GB、8GB、16GB 和 32GB 四种容量可供选择。此外,还提供 ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 SODIMM

内存: 4, 2, 8, 32, 16 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 SODIMM(小尺寸)是一种紧凑型内存模块,具有 3200MT/s 的业界最快速度。它非常适合任何嵌入式、监控和自动化设置。该模块符合所有相关的 JEDEC 标准,容量有 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 UDIMM VLP

内存: 8, 4, 16 GB

... 专为 1U 系统设计的超薄外形 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM VLP 采用超扁平设计,具有业界最快的内存速度(2666MT/s),完全兼容 Intel® Purely 平台和 1U 设备。该模块符合所有相关的 ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 SODIMM VLP

内存: 4, 8 GB

... 小外形双列直插式内存模块 专为 1U 系统设计的超薄外形 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 SODIMM VLP 采用紧凑的超扁平设计,具有业界最快的内存速度(2666MT/s),完全兼容 Intel® Purely ...

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Innodisk Corporation
DDR3内存模块
DDR3内存模块
DDR3 UDIMM

内存: 8, 4, 2 GB

... 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) 和 1.35V (1.28V~1.45V) 工作环境:0°C ~ 85°C 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR3 UDIMM 是专为监控、自动化和嵌入式市场设计的工业内存模块,具有持久的性能。该模块符合所有相关的 JEDEC 标准,容量有 2GB、4GB 和 8GB,数据传输速率分别为 1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
YSXXXXD3NXXXXXGN

内存: 2, 4, 8 GB

... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块,使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构,其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 204 引脚 ...

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KingSpec
工业内存模块
工业内存模块
YSEEMAXXXXXXXXXXX

内存: 4 GB - 128 GB

... YANSEN YSEEMAXXXXXXXXX eMMC 5.1 存储解决方案的推出,为各种应用提供了多功能的可靠选择。这款存储设备的容量范围为 4GB 至 128GB,采用先进的 3D MLC/TLC NAND,可确保高效可靠的性能。YANSEN eMMC 5.1 的读取速度高达 295 MB/s,写入速度高达 197 MB/s,可提供快速数据访问和传输所需的速度。该产品专为在工业环境中工作而设计,支持-40℃至85℃的宽工作温度范围,适用于需要坚固稳定性能的各种应用。 规格 尺寸:11.5 毫米*13.0 ...

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KingSpec
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
M3D0-4GMS2WPC

内存: 4 GB

... 内存模块 4GB DDR3 ECC SO-DIMM 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, 双面, -40...+85C 内存 频率 1600 兆赫 触点数 204 ECC 有 电压 1.35V、1.5V 外形 SO-DIMM 工作条件 工作温度 -40..85 °C 尺寸 净重 0.02 千克 毛重 0.02 千克 ...

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