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内存: 8, 16, 32 GB
... Apacer工业级DDR5 CUDIMM内存模块率先采用全无铅电阻设计，无需欧盟RoHS指令豁免，为环保达标设定了新标准。该工业级内存模块采用优质专业级时钟驱动器（CKD）元件和瞬态电压抑制器（TVS）二极管作为双核心技术，专为高性能计算（HPC）和人工智能（AI）应用而设计。 针对要求无与伦比的稳定性和可靠性的工业环境，DDR5 CUDIMM 集成了优质的工业级 CKD 组件。这些元件具有出色的信号驱动和缓冲能力，可降低高速运行时的噪音和抖动，从而显著提高数据传输的准确性和系统稳定性。先进的 ...
内存: 8, 16, 32 GB
... 针对要求无与伦比的稳定性和可靠性的工业环境，DDR5 CSODIMM 集成了优质的工业级 CKD 元件。这些元件具有卓越的信号驱动和缓冲能力，可降低高速运行时的噪音和抖动，从而显著提高数据传输的准确性和系统稳定性。先进的 TVS 设计可为瞬态电压波动提供强大的保护，从而保障模块和关键系统组件的安全。这使得 DDR5 CUDIMM 特别适合工业自动化等高风险应用场合。 此外，它们还集成了片上 ECC 机制，大大增强了 DRAM IC 的可靠性、可用性和可维护性。另一方面，Apacer 的 DDR5 ...
内存: 1 MB
安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) ...
内存: 16, 128, 64 GB
... 散热性能更强、速度最快的 DRAM 最快的 DRAM 解决方案 SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是业界最快的内存，I/O 速度达到 3.6Gbps，每秒可使用 1,024 个 I/O 处理 460GB 的数据。新型 HBM2E 的散热性能比之前的 HBM2 提高了 36%，是一款真正高效的内存，可为您的系统提供强劲的性能。 HBM 性能趋势 SK hynix 引领着 HBM 市场，雄心勃勃地寻求更快的 HBM 解决方案：我们正在开发的 HBM3 将能够以 819GB/s ...
内存: 8, 32, 4, 16 GB
... 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度，是任何监控、自动化和嵌入式应用的完美之选。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准，有 4GB、8GB、16GB 和 32GB 四种容量可供选择。此外，还提供 ...
内存: 2, 4, 8 GB
... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块，使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 204 引脚 ...
KingSpec
内存: 4, 8, 16, 32, 128 GB
... ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压，与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。 作为从DDR3演进而来的新一代规格，DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。 ddr4 - 2666 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块，针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s，理论峰值性能提高了15%，充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。 特点介绍 容量：4GB ...