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内存: 4, 8, 16, 32 GB
... 抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备，如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域，以及使用于高浓度硫磺气体区域，如火山、温泉、与采矿区电子设备。 由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电，随着电阻被硫化，电阻的阻值逐渐增加，直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题，宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块，此创新研发设计亦已取得专利。 ...
内存: 8, 16 GB
... Apacer宇瞻科技强固型内存XR-DIMM透过创新的板对板连接器(board-to-board connector)设计紧密且稳固接合主板，搭配高度坚固的300针连接器(300-pin connector)和固定孔(mounting holes)，有效避免内存模块因震动或强烈冲击所导致的位移或脱落问题，大幅强化内存讯号传输的可靠度，为艰困的应用环境提供最强力的后盾。 多重防护技术与加值应用，打造内存界无敌铁金刚 除了有效提升产品抗震与抗冲击可靠度，宇瞻XR-DIMM支持多重防护技术与加值应用，为高阶工业应用市场提供最完整的强固型内存解决方案。XR-DIMM密闭式板对板连接器设计，避免了传统内存金手指暴露于外在污染环境可能导致的氧化问题，还可结合底部填充(Underfill)技术增强抗震和抗热冲击性能。同时，宇瞻XR-DIMM也支持原厂工规宽温等级颗粒，并内建温度传感器(thermal ...
内存: 16, 8, 4, 32 GB
... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT（宽温）SODIMM 设计紧凑，具有 3200MT/s 的业界最快内存速度，非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...
Innodisk Corporation
内存: 32, 16, 8, 4 GB
... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V（1.26V~1.14V） 工作环境：-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT（宽温）RDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度，完全兼容 Intel® ...
Innodisk Corporation
内存: 8, 4, 16 GB
... DDR4 WT（宽温）RDIMM VLP 采用超扁平设计，提供业界最快的 2666MT/s 内存速度，完全兼容 Intel® Purely 平台和 1U 设备。模块配备 30μ"金手指，包括单位纠错和一个寄存器，可增强时钟、命令和控制信号。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准，工作温度范围为 -40°C 至 95°C (Tc)。所有产品均提供 8GB 和 16GB 容量，2133MT/s 和 2400MT/s 模块还包括 4GB。 VLP DIMM 模块专门用于 1U 系统，如系统高度低于 ...
Innodisk Corporation
内存: 8, 16, 4, 32 GB
... 小外形双列直插式内存模块 提供单一纠错和检测功能 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 ECC SODIMM 提供 3200MT/s 的业界最快无缓冲内存速度，与 Intel® Purely ...
Innodisk Corporation
内存: 8, 32, 4, 16 GB
... 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度，是任何监控、自动化和嵌入式应用的完美之选。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准，有 4GB、8GB、16GB 和 32GB 四种容量可供选择。此外，还提供 ...
Innodisk Corporation
内存: 4, 2, 8, 32, 16 GB
... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 SODIMM（小尺寸）是一种紧凑型内存模块，具有 3200MT/s 的业界最快速度。它非常适合任何嵌入式、监控和自动化设置。该模块符合所有相关的 JEDEC 标准，容量有 ...
Innodisk Corporation
内存: 8, 4, 16 GB
... 专为 1U 系统设计的超薄外形 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM VLP 采用超扁平设计，具有业界最快的内存速度（2666MT/s），完全兼容 Intel® Purely 平台和 1U 设备。该模块符合所有相关的 ...
Innodisk Corporation
内存: 4, 8 GB
... 小外形双列直插式内存模块 专为 1U 系统设计的超薄外形 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 SODIMM VLP 采用紧凑的超扁平设计，具有业界最快的内存速度（2666MT/s），完全兼容 Intel® Purely ...
Innodisk Corporation
内存: 4, 8, 16, 32 GB
... DDR4 U-DIMM 高速内存模块采用 8 个 512M x 8、1024M x 8、256MX16、512MX16、1GX8、2GX8、2GX16 位 DDR4 SDRAM（FBGA 封装）和一个 4K 位串行 EEPROM（288 引脚印刷电路板）。KingSpec DDR4 是一种双列直插式内存模块，用于安装到 288 引脚边缘连接器插座中。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制。数据 I/O 事务可在 DQS 的两个边沿上进行。工作频率范围和可编程延迟使同一器件可用于各种高带宽、高性能存储器系统应用。 ...
KingSpec
内存: 4, 8, 16 GB
... DDR4 SO-DIMM 高速内存模块采用 FBGA 封装，在 260 引脚印刷电路板上使用 8 个 512Mx8、1024M x 8、2GX8、2GX16 位 DDR4 SDRAM 和一个 4K 位串行 EEPROM。Kingspec DDR4 SO-DIMM 是一种双列直插式内存模块，用于安装到 260 引脚边缘连接器插座中。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制。数据 I/O 事务可在 DQS 的两个边沿上进行。工作频率范围和可编程延迟使同一器件可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。 ...
KingSpec
内存: 4, 8, 16 GB
... DDR4 SO-DIMM 高速内存模块采用 8 个 512Mx8、1024M x 8、2GX8 位 DDR4 SDRAM（FBGA 封装）和一个 4K 位串行 EEPROM（260 引脚印刷电路板）。DDR4 SO-DIMM 是一种双列直插式内存模块，用于安装到 260 引脚边缘连接器插座中。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制。数据 I/O 交易可在 DQS 的两个边沿上进行。操作频率范围和可编程延迟使同一器件可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。 ...
KingSpec
内存: 8, 16 GB
... 原装颗粒提高电脑性能 精选原厂颗粒，严格检验流程，8层PCB板，性能稳定。 优秀的兼容性 内存产品通过了市场上主流品牌的主板兼容性测试，保证了系统长时间的稳定性。 铝合金马甲，有效散热 铝合金马甲，散热效果强，工作温度低，运行更稳定。 镀金工艺金手指 镀金工艺，导电性和耐腐蚀性更强。 ...