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内存: 16, 32 GB
... SODIMM (Wide Temperature ECC SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计，能运行于–40°C到85°C工作温度，适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC，连同被动组件部份亦是工规宽温等级，PCB采用30u”镀金工艺，提升抗氧化能力，保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...
Apacer Technology B.V.
内存: 16, 8, 32 GB
首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块，避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V)，高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制，提升可靠度 288-pin，DDR5 无缓冲双列内存模块 (DDR5 UDIMM) ...
Apacer Technology B.V.
内存: 16, 32 GB
首創完全無鉛(Fully Lead-Free)記憶體模組，避免依賴RoHS 7(c)-Ⅰ的鉛豁免條款 新世代DDR5 ECC SODIMM工業級記憶體 採用DRAM原廠高品質新世代DDR5 DRAM晶片 On DIMM 配置電源管理IC (PMIC) (5V)，高效控制系統電源負載 On-die ECC糾錯機制，提升可靠度 支援ECC糾錯與校正 ...
Apacer Technology B.V.
内存: 16, 8, 4, 32 GB
... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT（宽温）SODIMM 设计紧凑，具有 3200MT/s 的业界最快内存速度，非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...
Innodisk Corporation
内存: 32 GB - 128 GB
... 37%。通常情况下，当 CPU 运算速度超过 DRAM 处理速度时，由于处理速度的差距越来越大，就会出现性能瓶颈。通过开发提供高带宽的MRDIMM，我们解决了这一*瓶颈，提高了用于人工智能和高性能计算的服务器的性能。 *瓶颈：瓶颈指的是交通流中的拥堵，通常发生在道路宽度不同的桥梁或隧道入口处，由于交通信号灯的等待时间而导致交通堵塞。在计算领域，瓶颈指的是系统性能减慢和流程效率降低，通常是由于计算机系统中组件的等级不匹配造成的。 与传统 ...
SK hynix
内存: 32, 8, 16 GB
● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制，数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating)，强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于边缘计算、物联网、5G与工业计算机等应用 威刚工业级DDR5 Unbuffered-DIMM内存，传输速度高达4800 ...
ADATA Industrial
内存: 1 MB
安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 ...
内存: 2, 4, 8 GB
... DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 204 引脚 DIMM 都使用金触点。 ...
KingSpec
内存: 128, 256, 512, 1, 2 MB
Double Data Rate(DDR)，也称为DDR1，是第二代同步DRAM (SDRAM)。顾名思义，DDR是指在系统时钟的上升和下降过程中均读取和写入数据，其带宽几乎是Single Data Rate(SDR) SDRAM的两倍。 JEDEC在2000年开发了DDR SDRAM规范(JESD79)，与SDRAM技术相比，DDR SDRAM具有更高的内存带宽和性能。ATP DDR1内存模块传输速度为266/333/400 ...
ATP Electronics
内存: 16, 8 GB
... 原装颗粒提高电脑性能 精选原厂颗粒，严格检验流程，6层PCB板，性能稳定。 优秀的兼容性 内存产品已通过市场上主流品牌的主板兼容性测试 兼容性，确保系统长期稳定运行。 镀金工艺金手指 镀金工艺，导电性和耐腐蚀性更强。 ...
Netac Technology Co.,Ltd.
内存: 4 GB
... 内存模块 4GB DDR3 ECC SO-DIMM 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, 双面, -40...+85C 内存 频率 1600 兆赫 触点数 204 ECC 有 电压 1.35V、1.5V 外形 SO-DIMM 工作条件 工作温度 -40..85 °C 尺寸 净重 0.02 千克 毛重 0.02 千克 ...
... 我们提供来自不同制造商的SRAM和DRAM解决方案，并支持你为你的产品鉴定它们。 DRAM模块 我们的Dyanmic RAM组件是特别为满足嵌入式系统的要求而设计的。它们的特点是低功耗，因为有低电压选项。此外，DDR3或DDR4特别适用于要求高的图形应用，如果是DDR4，则适用于需要更高带宽的应用。如果你的应用需要传统系统的组件，如DDR1或DDR2，我们很愿意听到你的意见。我们还提供对内存的鉴定支持。 ...
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