DRAM内存模块

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DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 2, 4, 8, 16 GB

● 传输效能高达1600 MT/s ● 严选原厂优质DRAM IC,耐用可靠 ● 1.35V低电压,节能省电 ● 客制化服务: 30µ PCB镀金层、抗硫化(Anti-Sulfuration Protection)和三防胶(Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于工业自动化、交通、网通与监控等应用 威刚工业级DDR3L U-DIMM内存传输速度达1600 MT/s,相当适合自动化、嵌入式系统、网通、监控等应用。此外,仅需 ...

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ADATA Industrial
DRAM内存模块
DRAM内存模块
DDR5 ECC U-DIMM

内存: 16, 32 GB

... ● 符合RoHS与JEDEC生产规范 ● 客制化服务: 抗硫化 (Anti-Sulfuration) 和三防胶 (Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 威刚工业级DDR5 ECC U-DIMM内存采用原厂高质量DRAM IC,速度达4800 MT/s,却仅需1.1V的低电压运作,不仅效能出众、且更加节能省电。此外,搭载独立电源管理芯片(PMIC, Power Management IC),可增强电源供应的稳定性。高达32GB的容量,能广泛运用于服务器、边缘计算、 ...

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ADATA Industrial
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR5 ECC SO-DIMM

内存: 16, 32 GB

... 符合RoHS与JEDEC生产规范 ● 客制化服务: 抗硫化 (Anti-Sulfuration) 和三防胶 (Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 威刚工业级DDR5 ECC SO-DIMM内存采用原厂高质量DRAM IC,速度达4800 MT/s,却仅需1.1V的低电压运作,不仅效能出众、且更加节能省电。此外,搭载独立电源管理芯片(PMIC, Power Management IC),可增强电源供应的稳定性。高达32GB的容量,能广泛运用于服务器、边缘计算、 ...

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ADATA Industrial
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
SODIMM

Apacer宇瞻科技DDR5 SODIMM工业级内存采用高质量原厂颗粒,内存频率提升至4800Mhz。针对要求高稳定、高可靠度的工控应用,宇瞻DDR5 SODIMM的On-die ECC纠错机制,大幅强化了DRAM IC的RAS(Reliability, Availability and Serviceability),为系统提供绝佳的稳定性与可靠度。另一方面,DDR5 内存模块增加了电源管理功能,以电源管理IC(PMIC)的配置,高效控制系统电源负载,提升信号完整性与兼容性。此外,其仅1.1V的工作电压 ...

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Apacer Technology B.V.
DRAM内存模块
DRAM内存模块
UDIMM

... 工業級記憶體採用高品質原廠顆粒,不僅超越現行歐盟RoHS環保標準要求,同時也能夠避免依賴RoHS 7(c)-Ⅰ的鉛豁免條款,記憶體時脈提升至5600Mhz。針對訴求高穩定、高可靠度的工控應用,宇瞻DDR5 UDIMM的On-die ECC糾錯機制,大幅強化了DRAM IC的RAS (Reliability, Availability and Serviceability),為系統提供絕佳的穩定性與可靠度。另一方面,DDR5 記憶體模組增加了電源管理功能,以電源管理IC ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
ECC SODIMM

... 工業級記憶體採用高品質原廠顆粒,不僅超越現行歐盟RoHS環保標準要求,同時也能夠避免依賴RoHS 7(c)-Ⅰ的鉛豁免條款。記憶體時脈提升至5600Mhz。針對訴求高穩定、高可靠度的工控應用,宇瞻DDR5 ECC SODIMM的On-die ECC糾錯機制,大幅強化了DRAM IC的RAS(Reliability, Availability and Serviceability),為系統提供絕佳的穩定性與可靠度。另一方面,DDR5 ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 WT SODIMM

内存: 16, 8, 4, 32 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT(宽温)SODIMM 设计紧凑,具有 3200MT/s 的业界最快内存速度,非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 WT RDIMM

内存: 32, 16, 8, 4 GB

... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V(1.26V~1.14V) 工作环境:-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT(宽温)RDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度,完全兼容 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 WT RDIMM VLP

内存: 8, 4, 16 GB

... DDR4 WT(宽温)RDIMM VLP 采用超扁平设计,提供业界最快的 2666MT/s 内存速度,完全兼容 Intel® Purely 平台和 1U 设备。模块配备 30μ"金手指,包括单位纠错和一个寄存器,可增强时钟、命令和控制信号。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准,工作温度范围为 -40°C 至 95°C (Tc)。所有产品均提供 8GB 和 16GB 容量,2133MT/s 和 2400MT/s 模块还包括 4GB。 VLP DIMM 模块专门用于 ...

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Innodisk Corporation
DRAM内存模块
DRAM内存模块
RDIMM

内存: 16, 32, 64, 128 GB

... ForEST*愿景所期望的那样,这样的收益减少了相同水平的系统性能所需的服务器数量,使数据中心的运行更加环保。 双子通道DRAM架构 通过双子通道结构,DDR5 RDIMM将CA(命令-地址)引脚的数量增加到从主机到RCD的7条双数据速率CA总线和RCD到DRAM的14条单数据速率总线。因此,与单通道DDR4 DIMM相比,拥有两个独立的40位通道可以实现2倍带宽和更高的总线(信号)效率。 ...

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Hynix
SDRAM内存模块
SDRAM内存模块
N01S818HA series

内存: 1 MB

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 128 K 个词,每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造,具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中,单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出 ...

DDR内存模块
DDR内存模块
DDR1

内存: 128, 256, 512, 1, 2 MB

Double Data Rate(DDR),也称为DDR1,是第二代同步DRAM (SDRAM)。顾名思义,DDR是指在系统时钟的上升和下降过程中均读取和写入数据,其带宽几乎是Single Data Rate(SDR) SDRAM的两倍。 JEDEC在2000年开发了DDR SDRAM规范(JESD79),与SDRAM技术相比,DDR SDRAM具有更高的内存带宽和性能。ATP DDR1内存模块传输速度为266/333/400 ...

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ATP Electronics
DDR3内存模块
DDR3内存模块
Basic

内存: 16, 8 GB

... 原装颗粒提高电脑性能 精选原厂颗粒,严格检验流程,6层PCB板,性能稳定。 优秀的兼容性 内存产品已通过市场上主流品牌的主板兼容性测试 兼容性,确保系统长期稳定运行。 镀金工艺金手指 镀金工艺,导电性和耐腐蚀性更强。 ...

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Netac Technology Co.,Ltd.
DRAM内存模块
DRAM内存模块
M378A1K43BB2-CRC

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Samsung Semiconductor
闪存内存模块
闪存内存模块

... 我们提供来自不同制造商的SRAM和DRAM解决方案,并支持你为你的产品鉴定它们。 DRAM模块 我们的Dyanmic RAM组件是特别为满足嵌入式系统的要求而设计的。它们的特点是低功耗,因为有低电压选项。此外,DDR3或DDR4特别适用于要求高的图形应用,如果是DDR4,则适用于需要更高带宽的应用。如果你的应用需要传统系统的组件,如DDR1或DDR2,我们很愿意听到你的意见。我们还提供对内存的鉴定支持。 ...

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