DDR5内存模块

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DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 16, 8, 32 GB

... 首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块,避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列内存模块 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 32, 16 GB

... 首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块,避免依赖RoHS 7(c)-Ⅰ的铅豁免条款 采用DRAM原厂高质量新世代DDR5 DRAM芯片 On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 262-pin,DDR5 小型双列直插式内存模块 (DDR5 SODIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 16, 32 GB

... 首創完全無鉛(Fully Lead-Free)記憶體模組,避免依賴RoHS 7(c)-Ⅰ的鉛豁免條款 新世代DDR5 ECC SODIMM工業級記憶體 採用DRAM原廠高品質新世代DDR5 DRAM晶片 On DIMM 配置電源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系統電源負載 On-die ECC糾錯機制,提升可靠度 支援ECC糾錯與校正 262-pin,DDR5 ECC 小型雙列直插式記憶體模組 (DDR5 ECC SODIMM) ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

... 采用VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 支援ECC纠错与校正 288-pin,DDR5 ECC 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 ECC UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

... 采用DRAM原厂高品质新世代DDR5 DRAM晶片 VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

... 宇瞻Wide Temp. SODIMM (Wide Temperature SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal Cycling Test),保证宽温系列内存模块能长时间稳定运行于极端环境之中。 坚持使用原厂工规等级颗粒 商规IC筛选(sorting)产品于工规应用环境常有高故障率问题,工规计算机误用商规IC,可能导致数据遗失与损毁的风险。宇瞻工规宽温IC产品坚持使用原厂工规等级颗粒,可确保内存模块面对严苛环境的稳定性,适用于长时间处于高低温变化的工规应用环境。 ...

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SDRAM内存模块
SDRAM内存模块

内存: 16, 32 GB

宇瞻Wide Temp. ECC SODIMM (Wide Temperature ECC SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal Cycling ...

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DRAM内存模块
DRAM内存模块
MRDIMM

内存: 32 GB - 128 GB

... SK hynix 专门为高性能计算开发了 MRDIMM(多路复用级双列直插式内存模块),它基于 16Gb 或 24Gb DDR5 SDRAM 设备,通过同时访问子通道内的级来提高带宽。 带宽轻松超过 8Gbps 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 MRDIMM 的数据传输速率为 8.8Gbps,与数据传输速率为 6.4Gbps 的其他 DDR5 产品相比,性能至少提高了 37%。通常情况下,当 CPU 运算速度超过 DRAM 处理速度时,由于处理速度的差距越来越大,就会出现性能瓶颈。通过开发提供高带宽的MRDIMM,我们解决了这一*瓶颈,提高了用于人工智能和高性能计算的服务器的性能。 *瓶颈:瓶颈指的是交通流中的拥堵,通常发生在道路宽度不同的桥梁或隧道入口处,由于交通信号灯的等待时间而导致交通堵塞。在计算领域,瓶颈指的是系统性能减慢和流程效率降低,通常是由于计算机系统中组件的等级不匹配造成的。 与传统 ...

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SK hynix
DRAM内存模块
DRAM内存模块
RDIMM

内存: 64, 128, 16, 32 GB

... 为大数据和人工智能提供更高水平的性能 在推出全球首款 DDR5 DRAM 之后,SK hynix 又推出了基于 16Gb 或 24Gb DDR5 的 16-256GB 容量 RDIMM,与 DDR4 RDIMM 相比,性能大幅提升,引领下一代内存模块解决方案。 带宽更高,速度更快 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 RDIMM 与 DDR4 相比,有效带宽增加了 70%,数据传输速率从 5,600Mbps 起,最高可达 6,400Mbps 以上,最终目标是将速度提高 2 倍以上。这样的提升减少了同等系统性能所需的服务器数量,使数据中心的运行更加绿色环保,这正是SK ...

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SK hynix
DRAM内存模块
DRAM内存模块
UDIMM

内存: 8 GB - 48 GB

... SK hynix UDIMM 是台式电脑的主流内存模块,采用最新的 16Gb 或 24Gb DDR5 芯片,容量高达 48GB,性能更强。 更强的性能和速度 使用 16Gb 或 24Gb DDR5,UDIMM 的速度从 DDR4 的 3,200Mbps 跃升至 5,600Mbps 以上。随着 PC 需求的不断发展,容量和速度还将进一步提高。 使用 In-DRAM ECC 提高可靠性 DDR5 采用 In-DRAM 纠错码(ECC)技术,可卸载系统的纠错负担,提高可靠性、可用性和可维护性(RAS)。 ...

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SK hynix
DDR5内存模块
DDR5内存模块
LPCAMM2

内存: 16 GB - 64 GB

... LPCAMM2(低功耗压缩附加内存模块 2)将使笔记本电脑更快、更轻、更小。与基于传统 DDR 的 PC 模块不同,LPCAMM2 是一种基于封装的模块,每个封装都包含多个堆叠的 LPDDR。与 SODIMM 相比,LPCAMM2 不仅外形小巧、性能高、容量大,而且能显著降低功耗。 速度高达 8.5Gbps LPCAMM2 的性能比 SODIMM 高出 50%,但占用空间却减少了 64%,为 PC/laptop 组件的放置提供了更大的自由度。LPCAMM2 是 128 位宽内存总线,在相同外形尺寸下可提供高达 ...

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SK hynix
DRAM内存模块
DRAM内存模块
SODIMM

内存: 16, 32, 8, 48 GB

... 从家庭到户外,笔记本电脑时代的必备内存 笔记本电脑模块 随着便携式电脑成为中心舞台,面向笔记本电脑的 SODIMM 成为焦点。SK hynix SODIMM 拥有与台式机用 UDIMM 的 32GB 容量相当的宽敞容量,采用 16Gb 或 24Gb DDR5 技术,支持高达 5,600Mbps 的数据传输。我们的 SODIMM 在容量和速度方面将继续增长,以满足便携式但功能强大的笔记本电脑的需求。 电源管理集成电路(PMIC) DDR5 模块中新增了电源管理集成电路(PMIC),无需外部电压调节,可为 ...

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SK hynix
DDR5内存模块
DDR5内存模块
H5CG4 series

内存: 16, 24 GB

... 下一代内存 SK hynix 开发出业界第一款符合 JEDEC 标准的 DDR5 DRAM,并期望以 16Gb 或 24Gb DDR5 引领下一代内存时代。与 DDR4 相比,性能的提升和总体拥有成本的降低为客户实现了更大的价值,而 20% 的功耗降低也为环境和社会带来了价值。 更高的 DDR5 速度 目前,16Gb 或 24Gb DDR5 的数据处理速度为 5,600Mbps ,而我们的目标是通过更高密度的 DDR5 实现高于 6,400Mbps 的更快速度,以满足对更大内存带宽不断增长的需求。 32 ...

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SK hynix
DRAM内存模块
DRAM内存模块
HBM3

内存: 16, 128, 64 GB

... 终极 DRAM 开启高端内存新纪元 2021年10月开发出全球首款HBM3 在 HBM2E 量产后的短短 15 个月内,SK hynix 通过开发 HBM3 巩固了其在高速 DRAM 领域的领先地位,HBM3 是用于数据中心、超级计算机和人工智能等尖端技术的最新高带宽内存。 先进的散热技术 在相同的工作电压下,HBM3 的运行温度比 HBM2E 低,从而提高了服务器系统环境的稳定性。在同等工作温度下,SK hynix HBM3 可以支持 12 层堆栈,容量是 HBM2E 的 1.5 倍,I/O ...

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SK hynix
DRAM内存模块
DRAM内存模块
CXL™

... 利用 CXL® 扩展内存的新时代 Compute Express Link® (CXL®) 采用 PCIe(外围组件互连 Express)接口,是一种全新的标准化接口,有助于提高 CPU、GPU、加速器和内存的效率。CXL® 内存的主要优势在于可扩展性:CXL® 允许灵活扩展内存,这是现有服务器系统所不具备的,因为在采用特定服务器平台时,内存容量和性能是固定不变的。CXL® 作为运行人工智能和大数据应用的高性能计算系统的新接口,其发展潜力不可限量。 CXL®,解锁内存扩展 SK hynix 的首款 ...

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