晶圆蚀刻机

... APX300-S 诞生于成熟的干式蚀刻技术，包括获得专利的多螺旋感应耦合等离子体线圈 (MS-ICP) 及其在化合物半导体材料阵列中的应用。APX300-S 可以处理功率器件、声表面波滤波器、通信器件或 MEMS 传感器市场中使用的晶片。 我们的多螺旋线圈 ICP (MS-ICP) 源技术可让您的操作实现高度统一的工艺结果。可用的束射型 ICP (BM-ICP) 选件具有更高的电子密度，可实现更快的处理速度和更广泛的处理能力。还提供大气和真空处理系统选项。 - 获得专利的多螺旋 ICP 线圈 ...

... D632B 激光蚀刻机主要设计用于 TOPCon 电池背面的多指工艺。通过对 PSG 膜进行图案化处理和改性，该设备与后续湿法工艺配合，实现背面多晶硅膜的局部减薄，从而提高 TOPCon 电池的效率和双面发电性能。 产能 ≥9000片/小时（210R、300指、单激光束） 适用尺寸 182-230mm 对准精度 ≤15um 具有卓越精度和极高稳定性的图案化激光 在稳定性、精度和效率方面表现卓越，凭借出色的图案切换性能赢得了客户和市场的认可 高稳定性 高度稳定的定向光学系统。 高均匀性 高均匀性的成形光斑；支持光斑尺寸调节，无需更换DOE。 高速高效 超高速扫描镜扫描系统，高效除尘及光路密封。 ...

SPTS Omega® Rapier™ 和 DSi-v 处理模块可为各种应用提供高速硅蚀刻加工。针对硅的深反应离子蚀刻 (DRIE) 采用博世 (Bosch) 工艺。该工艺可在蚀刻 (SF6) 和钝化 (C4F8) 步骤之间反复切换等离子体化学成分，从而在硅中实现沟槽或孔洞的各向异性蚀刻。KLA 拥有逾 1,500 个 DRIE 处理模块的安装实例，并在 MEMS 和其他应用的深硅蚀刻方面拥有数十年的专业知识。SPTS Rapier™ 提供双等离子体源设计，具有独立控制的主要和辅助解耦等离子体区域，以及独立的双气体入口。它会产生高度集中且均匀分布的自由基，从而实现高蚀刻速率、出色的跨晶圆均匀性以及对 ...

... Primaxx® Monarch 3 气相氟化氢 (VHF) 蚀刻系统使用可控的氟化氢/无水酒精蚀刻工艺来完成选择性蚀刻释放。Monarch 3 是一个紧凑型模块，其中包括一个可支持3片晶圆的工艺腔体，内含一个带预抽真空室的半自动3片晶圆载台。它专为研究实验室和小批量生产环境而设计。带有电子控制板的集成式电脑屏可最大限度地减少洁净室占地面积，且该系统的设计支持轻松地更改晶圆尺寸和进行维护。 MEMS 释放蚀刻 MicroLED 释放 射频器件的蒸汽释放 MEMS 射频器件制造 光电子器件 ...

... RENA AES 湿法蚀刻工具设计用以实现出色的晶圆生产效果。酸性蚀刻搭配快速输送系统，呈现精准工艺控制。对于 300 mm 以下的晶圆，这款全自动工具满足高端晶圆生产的所有要求，完全遵循所有 SEMI 标准。此外，无载片半节距处理能力确保高处理率。 特点与优势 晶圆尺寸高达 300 mm 出色的形状控制 蚀刻停顿小于 1 秒 完美的蚀刻均匀性 无载片处理 半节距系统实现高处理量 高级工艺监控 多晶圆运输至 OHT 装载端 ...