等离子晶圆蚀刻机 SPTS Omega®

SPTS Omega® Rapier™ 和 DSi-v 处理模块可为各种应用提供高速硅蚀刻加工。针对硅的深反应离子蚀刻 (DRIE) 采用博世 (Bosch) 工艺。该工艺可在蚀刻 (SF6) 和钝化 (C4F8) 步骤之间反复切换等离子体化学成分，从而在硅中实现沟槽或孔洞的各向异性蚀刻。KLA 拥有逾 1,500 个 DRIE 处理模块的安装实例，并在 MEMS 和其他应用的深硅蚀刻方面拥有数十年的专业知识。SPTS Rapier™ 提供双等离子体源设计，具有独立控制的主要和辅助解耦等离子体区域，以及独立的双气体入口。它会产生高度集中且均匀分布的自由基，从而实现高蚀刻速率、出色的跨晶圆均匀性以及对 CD、轮廓和特征倾斜的控制。此性能可在直径高达 300mm 的晶圆上实现。凭借附带的多模式灵活性，可在同一硬件内进行互补式氧化物蚀刻加工。SPTS DSi-v 模块可为高负载应用提供出色的深硅蚀刻性能。DSi-v 尤其适合硅麦克风或压力传感器等应用的大腔蚀刻加工。Rapier™ 和 DSi-v 均与 Omega® LPX、c2L 或 fxP 晶圆处理平台兼容，或是与 Versalis™ 集群平台上的不同 SPTS 蚀刻和沉积模块相集成。 适用于 MEMS 微加工、TSV、功率沟槽、背面硅通孔的硅深反应离子蚀刻 (DRIE) 适用于通孔暴露和晶圆减薄的全面硅蚀刻 浅层氧化物蚀刻 MEMS 先进封装 射频器件制造 功率器件制造 光子设备