{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
20纳米世代后的装置对精度和工艺要求非常高，如双重图案和3D构造，以及针对新材料相对应的高精密度复杂制程要求，包含后道处理和形成保护膜等。为了对应这类下一代器件工艺，半导体蚀刻装置9000系列统一了接口并且能够搭载高精度模块化的各种腔室，从而实现了对应先进器件的扩展性和柔软性的工艺。 特长 • 新的9000系列的串接式平台，其模组腔室设计，可以提供制程使用的弹性以及未来的扩充性。 • 有助于顺利过渡到未来450mm晶圆用设备的平台和用户界面标准化整合。 • ...
... 导体蚀刻系统M-8000系列被用于32纳米及以后的硬掩膜和硅蚀刻。 日立高新技术通过与设备制造商和材料/工具供应商的JDP（联合开发计划）开发了新的工艺流程，如双图案和新材料蚀刻工艺，如高介电/金属栅。 日立高新的蚀刻系统通过新的微波ECR（电子回旋共振）等离子体蚀刻室、高速晶圆温度控制和高真空排气控制技术，在晶圆内提供卓越的轮廓可控性和CD均匀性。 日立高新技术的AEC（先进设备控制）/APC（先进过程控制）技术与原始数据收集、分析和控制系统提供了卓越的生产力和可靠性。 适用晶圆直径：300mm 系统配置。4室（最大）。 ...
... - 蚀刻速率可高可低 - 可旋转和倾斜的晶片支架。 - 可选择多种卡盘类型。 - 占地面积小 - 端点检测系统（应用带负载锁定的选项）。 - 电子设备、微机电系统制造、微加工研究、开发、原型设计、小批量生产应用等。 - 对小型固体物体进行离子照射等。 设备评估 我们将首次免费提供根据客户应用量身定制的样品加工。 请就晶圆尺寸、加工晶圆数量等向本公司咨询。 ...
... APX300-S 诞生于成熟的干式蚀刻技术，包括获得专利的多螺旋感应耦合等离子体线圈 (MS-ICP) 及其在化合物半导体材料阵列中的应用。APX300-S 可以处理功率器件、声表面波滤波器、通信器件或 MEMS 传感器市场中使用的晶片。 我们的多螺旋线圈 ICP (MS-ICP) 源技术可让您的操作实现高度统一的工艺结果。可用的束射型 ICP (BM-ICP) 选件具有更高的电子密度，可实现更快的处理速度和更广泛的处理能力。还提供大气和真空处理系统选项。 - ...
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