陶瓷盘 69299-00001-9068

碳化硅高温

简要说明
这些SiC多孔陶瓷圆片用于半导体及先进制造工艺中的精密真空吸附和气浮（气体轴承）支撑。由碳化硅制成，具有较高硬度、良好热导率和化学耐性，确保稳定的真空保持力和均匀的气流分布。圆片可实现对晶圆、面板和薄基材的非接触、低损伤搬运，适用于高温、高精度的生产环境。

产品规格（概要）
化学式：SiC
形状：圆片
材料：碳化硅多孔陶瓷
CAS 号：409-21-2
商品：多孔陶瓷圆片

规格 / 公差（圆片）
厚度：2 mm（公差 ±0.1 mm）
外径：80 mm（公差 ±0.1 mm）

物理性能
密度：2.0 - 2.2 g/cm³

机械性能
硬度 (HRA)：≥ 40.00

典型应用

• 半导体真空卡盘系统（晶圆研磨真空卡盘、晶圆切割真空卡盘、印刷真空卡盘）
• 真空卡盘清洁
• 传输与搬运用真空卡盘
• 精密气体轴承与气浮平台
• LCD 和 OLED 显示面板制造
• 半导体微电子加工
• 手机玻璃与面板搬运
• 薄膜加工
• 激光加工平台
• 印刷与涂布系统
• 光伏与太阳能电池行业

主要特性

• 均匀且稳定的多孔结构
• 可靠的真空吸附性能
• 用于气浮应用的均匀气流分布
• 适用于非接触、低损伤搬运
• 高尺寸精度与一致性
• 适用于洁净室等高洁净制造环境

规格与变体

• 提供多种尺寸和厚度
• 可选不同孔结构以满足载荷和工艺要求
• 各规格间孔分布一致

技术特性 / 规格

• 化学式：SiC
• 形状：圆片
• 材料：碳化硅多孔陶瓷
• CAS 号：409-21-2
• 商品：多孔陶瓷圆片
• 圆片厚度：2 mm（公差 ±0.1 mm）
• 外径：80 mm（公差 ±0.1 mm）
• 密度：2.0 - 2.2 g/cm³
• 硬度 (HRA)：≥ 40.00
• 可用孔径示例：15 μm、30 μm
• 包装：每单位 1 件