概要通过与硅晶片进行阳极键合,无需使用粘结剂,可解决外部气体(out-gas)问题,适用于晶圆级封装(WLP)工艺。
主要特性- 微密孔加工:最小孔径 φ0.1mm
- 最大玻璃尺寸:可达 φ300 mm(部分工艺仅适用于最大 φ200 mm)
- 提高器件晶圆的键合良率:抑制孔周围凹陷,减少崩边(可实现 ≦10 μm)
标准规格- 材料:玻璃
- 玻璃尺寸:≦ φ300 mm (*)
- 最小厚度:0.15 mm
- 厚度公差:±0.01 mm
- 最小孔径:φ0.1 mm
- 孔形状:按要求(直孔 / 锥形 / 阶梯)
- 孔径公差:±0.02 mm
- 崩边(Chipping):≦100 μm(特殊加工可达 ≦10 μm)
- 金属化加工:可提供
孔周边凹陷对比锐边型凹陷宽度:<10 μm
凹陷深度:<0.1 μm
标准型凹陷宽度:>400 μm
凹陷深度:>0.7 μm
崩边对比低崩边型(产品页面提供示意对比图)
标准型(产品页面提供示意对比图)
应用市场 / 用途技术规格- 材料:玻璃
- 玻璃尺寸:≦ φ300 mm(部分工艺限于 φ200 mm)
- 最小厚度:0.15 mm
- 厚度公差:±0.01 mm
- 最小孔径:φ0.1 mm
- 孔径公差:±0.02 mm
- 孔形状:直 / 锥 / 阶梯(按要求)
- 崩边:≦100 μm(特殊加工可达 ≦10 μm)
- 贯通孔断面形状:直 / 锥 / 阶梯
- 金属化加工:可提供
- 可与硅晶片进行阳极键合,适用于 WLP 工艺