概要最适用于半导体小型化的三维晶片级封装(WLP),通过贯通孔配线(TGV)及金属互连可改善高频性能。
优点- 可与硅晶圆进行阳极键合(anodic bonding)
- 无胶工艺可消除外气体(out‑gassing)问题
- 适用于RF应用的高频特性
- 与TSV相比具有低寄生电容
- 低电感
- 由于金属杆via,电阻低
适用于WL‑CSP MEMS封装- 精细的via间距容差
- φ200 mm晶圆累积间距 ≤ ±20 μm
- 累积via间距 ≤ ±20 μm
- 支持最大φ200 mm晶圆
市场 / 应用- 视听 / 移动:用于智能手机、便携设备、数码相机、车载导航的RF开关/继电器;压力传感器;陀螺仪;加速度计;图像传感器
- 汽车:压力传感器;加速度计;陀螺仪
- 半导体:RF‑MEMS开关;图像传感器
- 生物医药 / 医疗:医疗设备用压力传感器
特性 / 规格- 材料:Borofloat 33、SW-YY
- 玻璃尺寸:≤ φ200 mm
- 最小厚度:0.3 mm
- 最小Via直径:φ0.15 mm
- 孔径公差:±0.02 mm
- 最大长宽比(深度:直径):1 : 5
- Via材料:Si、W(钨)
- Via气密性(He泄漏测试):1×10^-9 Pa·m^3/s
- Via–玻璃间隙(标准):0 μm–3.0 μm
- Via–玻璃间隙(选项1):0 μm–1.0 μm
- Via–玻璃间隙(选项2):-3.0 μm–0 μm
- Via形状:直线
- 腔体加工:可提供
- 金属化加工:可提供
- 凸点(bump)加工:可提供