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砷化镓GaAs光电二极管阵列 XSJ-10-G6A-35H-K4
PIN

砷化镓GaAs光电二极管阵列
砷化镓GaAs光电二极管阵列
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产品规格型号

技术参数
砷化镓GaAs, PIN

产品介绍

该高数速NRZ/4X56Gbps PAM-4光电二极管芯片采用GaAs顶照1×4阵列PIN结构。特点是高倍增,低电容和低暗电流,光敏面大小为Φ35μm,信号和接地键合板设计在芯片顶部,便于线键合,应用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。 产品特点 1. Φ35μm光探测窗口 2. 低暗电流 3. GSG焊盘设计 4. 芯片间距:250μm 5. 100%测试和外观检测 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU) 应用领域 1. 200G SR4 2. 多模平行光纤光通信

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