DRAM内存模块 H5UG7HME03X020R

DDR5

具有增强散热功能的最快的DRAM 最快的DRAM解决方案 SK hynix的1ynm 16Gb HBM2E是业界最快的内存，I/O速度为3.6Gbps，使用1024个I/O每秒处理460GB的数据。比之前的HBM2散热效果好36%，我们新的HBM2E是一个真正高效的内存，为你的系统提供强大的性能。 HBM 性能趋势 SK hynix引领着HBM市场，对更快的HBM解决方案充满了雄心：我们正在开发的HBM3，将能够以819GB/s或更高的速率处理数据，每针6.4Gbps的速度。与DDR或GDDR相同的工作负载下，HBM具有超过2倍的功率效率，降低了整体TCO - 体现了我们Memory ForEST*倡议的本质。 热改进 我们的HBM2E比HBM2的散热性好36%，在相同的操作条件下，可以保持平均14摄氏度的温度。 高达9倍的带宽，2倍的跨代容量改进 与DDR5的2.4GB/s带宽和GDDR6的64GB/s带宽相比，HBM2E的性能提高了9倍，每秒可以处理460GB的数据。HBM2E的密度也比上一代HBM2提高了一倍，通过8个16Gb DRAM芯片的组合实现了16GB的解决方案，而HBM2的核心芯片密度为8Gb。