DRAM内存模块 H5WRAGESM8W-N8L

高速

高端存储器的新视野的终极DRAM 世界上第一个HBM3在2021年10月开发完成 在推出HBM2E量产后的短短15个月内，SK hynix通过开发HBM3巩固了其在高速DRAM领域的领先地位，HBM3是用于数据中心、超级计算机和AI等尖端技术的最新高带宽内存。 先进的热耗散 在相同的工作电压水平下，HBM3的运行温度比HBM2E低，增强了服务器系统环境的稳定性。在同等的工作温度下，SK hynix HBM3可以支持12个芯片堆栈或比HBM2E高1.5倍的容量，以及6Gbps的I/O速度，实现1.8倍的带宽。因此，在相同的操作条件下具有更大的冷却能力，SK hynix实现了其Memory ForEST*的倡议。 性能提升 SK hynix HBM3，具有比HBM2E高1.5倍的容量，由12个DRAM芯片堆叠成相同的总封装高度，适合于容量密集型的应用，如AI和HPC。单个立方体可以产生高达819GB/s的带宽，而在同一硅片上有六个HBM芯片的SiP（系统级封装）可以达到4.8TB/s，以支持exascale需求。 片上ECC SK hynix HBM3还具有强大的和定制设计的片上ECC（纠错代码），它使用预先分配的奇偶校验位来检查和纠正接收数据的错误。嵌入式电路允许DRAM在单元内自我纠正错误，大大增强设备的可靠性。