ROHM Semiconductor/罗姆晶体管

电流: 20 A
电压: 650 V

... GNP1070TC-Z是一款650V的GaN HEMT，达到了业界最高等级的FOM（Ron*Ciss、Ron*Coss）。它是EcoGaN™系列的产品，通过充分利用低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能，实现了高可靠性的设计。此外，高度通用的封装提供了良好的散热性，便于安装。 概述 该产品在RDS(ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss方面具有行业领先的性能，这是GaN HEMT的优点，可转化为电源系统的更高效率。同时，内置的ESD保护元件提高了抗静电击穿能力，最高可达3.5kV，从而实现了更高的应用可靠性。氮化镓HEMT的高速开关特性也有助于外围元件的进一步小型化。 应用实例 是工业设备和消费设备中广泛的电源系统的理想选择，包括服务器和AC适配器 ...

电流: 24 A
电压: 40 V

... HP8KB6 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 24 A
电压: 40 V

... HP8KB7 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 23 A
电压: 60 V

... HP8KC6 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 24 A
电压: 60 V

... HP8KC7 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特性 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 17 A
电压: 100 V

... HP8KE6 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 24 A
电压: 100 V

... HP8KE7 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 16.5 A
电压: 40 V

... HP8MB5 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 12 A
电压: 60 V

... HP8MC5 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...

电流: 12 A
电压: 40 V

... HT8KB5 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 高功率小型模具封装 (HSMT8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...