Materials Research Furnaces晶体生长炉

温度: 0 °C - 2,800 °C

... 我们的前装式多用途实验室炉具有大量的选项和配置，是我们用途最广的炉子。它是需要高温处理的小样品研究和开发的理想工具。默认最高温度为 2000 °C，如果加装水冷加热器外壳，则最高温度可达 2800 °C。 热区尺寸为直径 4 英寸 x 高 8 英寸。该炉可选配 晶体 生长套件、微型热压套件和淬火套件，只需极少的工作量即可更换。前端装载设计可以方便地进入装载区。 规格 灵活性强，非常适合研究与开发 出色的 +/-10 °C 温度均匀性 金属、石墨或陶瓷热区，易于更换 4 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 如果在订购时说明，还可以定制炉腔以生产特定形状的熔体，无需额外费用。 该系统是大学或研发实验室的理想选择，因为它是一种经济实惠的即用型窑炉，在窑炉组件中集成了排空、惰性气体和冷却水组件以及 100% 负载循环电源。如果配备变速 晶体拉拔器伺服驱动器和线性执行器，Tri-Arc-200 还可选配 晶体拉拔功能。有关拉晶器以及其他选件和附件的详细信息，请参见附件列表。 规格 底部装载配置。 通过顶部和底部黄铜底座之间的派莱克斯玻璃进行 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 电弧熔化炉ABJ-900是我们最大的系统，用于3500℃以上的持续使用，具有安全的水流联锁、绝缘波纹管、排空/气体系统和重型电源。炉膛向后铰链，可以完全进入炉膛区域和炉膛内部，便于装载、卸载、清洁和维护。 炉盘包括许多可能的熔化腔配置，如果在订货时指定，可提供定制设计，不需额外费用。 熔化区是一个9.00英寸（229毫米）直径的炉膛腔。弧形熔化炉提供极其纯净的熔体。可提供高真空涡轮泵系统和其他附件。 一般规格 大钟罩，顶部装载配置。 100% 304L级不锈钢真空室。 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 是我们最大的电弧熔化炉，炉膛为 9 英寸（229 毫米）。该炉可瞬间达到 3500°C 以上的温度。 三重电弧选项使熔化更加均匀，无需卸载和重新装载即可处理较大的批量。不同的材料也可以放置在不同的坩埚中同时熔化。 晶体 生长选件允许从中心坩埚拉出最大 4 英寸（100 毫米）的 晶体。高真空系统选件可在需要时进行超纯熔化。所有组件均可通过直观的可选触摸面板屏幕进行操作。 如果您在订购时指定了腔体形状，还可以免费定制腔体形状。 一般规格 带有钨电极的三个铜刺。 大型钟罩式铰链装载结构。 定制铜炉盘 ...

温度: 0 °C - 2,000 °C

... 这种 晶体 生长炉可采用布里奇曼法、佐赫拉尔斯基法或斯捷潘诺夫法生产实验室大小的 晶体。这种技术可用于 生长半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石的单 晶体。 拉速可调，控制精度低至 0.001 英寸/分钟（0.025 毫米/分钟）。(0.025 毫米/分钟）。另外还配有一个独立的电机，用于旋转 3/8 英寸的籽杆。 我们的 晶体 生长选件还可安装在使用顶部炉腔端口的特定前装载 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 我们采用 Czochralski 方法 生长实验室大小 晶体的最低成本炉是带有 晶体 生长选项的电弧熔化炉 TA-200。该选项增加了用于 生长半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石单晶的所有组件。 该炉使用三条电弧，可熔化 3500°C 以上的材料。然后，连接在种子棒上的 晶体种子会下降到盛有熔液的 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 带有 晶体 生长选项的 ABJ-900-3 型电弧熔化炉是 TA-200 型电弧熔化炉的升级版，具有更大的炉腔、更大的电源、顶部装载（而非底部装载）以方便存取，以及更大的熔体。 晶体 生长组件采用 Czochralski 方法，用于 生长半导体材料、金属、盐类和合成宝石的单 晶体。 该熔炉有三个电刺，可在三个不同的地方同时用三个电弧熔化材料。该熔炉能够熔化 ...

温度: 0 °C - 1,300 °C

... 晶体 生长管式炉采用可编程运动系统，可在氧化环境中长时间 "摇摆 "整个热区，同时保持高达 1300°C 的温度。 加热区由一根 50 英寸长的莫来石管和电阻式加热元件组成。热区包含三个独立的加热元件。 整个热区可以 90° 角连续摇摆，用于 晶体复合材料的 生长。 一旦完成摇摆热循环，一个独特的淬火系统就会将 晶体复合材料降至冷却介质中的可控深度，以便快速冷却。 一般规格： 管状 ...