带有晶体生长选项的 ABJ-900-3 型电弧熔化炉是 TA-200 型电弧熔化炉的升级版,具有更大的炉腔、更大的电源、顶部装载(而非底部装载)以方便存取,以及更大的熔体。晶体生长组件采用 Czochralski 方法,用于生长半导体材料、金属、盐类和合成宝石的单晶体。
该熔炉有三个电刺,可在三个不同的地方同时用三个电弧熔化材料。该熔炉能够熔化 3500°C 以上的材料。然后,连接在种籽棒上的晶体种籽会下降到容纳熔液的 9 英寸(225 毫米)炉膛的中心坩埚中,并按程序拉动晶体生长。
拉速完全可编程,控制精度低至 0.001 毫米/分钟。 3/8 英寸种子杆的转速可在 0-30 rpm 之间调节。最大拉伸高度为 7 英寸(176 毫米)。
一般规格
适用于采用 Czochralski 方法的晶体生长
可调拉拔速度低至 0.001 英寸/分钟(0.025 毫米/分钟)。(0.025 毫米/分钟)
7 英寸行程
9 英寸(229 毫米)炉膛,可定制空腔形状
可调节籽杆旋转
详细信息
有关弧形熔化炉的详细信息,请参阅 ABJ-900-3 型弧形熔化炉。下面介绍的是与该炉晶体生长选项有关的组件。
晶体牵引器组件
用于控制移动速度的伺服电机和驱动器
齿轮减速器,用于将拉伸速度从每分钟 14 毫米降至每分钟 0.001 毫米
精密滑块,用于在腔体内上下移动籽料杆,行程为 7 英寸(178 毫米
直流电机,可使播种杆旋转 0 至 30 RPM
---