熔化炉 TA-200
晶体生长室式电动

熔化炉
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产品规格型号

功能
用于熔化, 晶体生长
配置
室式
热源
电动
温度

最少: 0 °C
(32 °F)

最多: 3,500 °C
(6,332 °F)

产品介绍

我们采用 Czochralski 方法种植实验室尺寸晶体的成本最低的炉是采用晶体生长选项的弧熔炉 TA-200。 该选项添加了用于种植半导体材料(硅、锗和砷化镓)、金属、盐类和合成宝石的单晶的所有组件。 该炉使用三个电弧,能够熔化超过 3500 ℃ 的材料。一个晶体种子附在种子杆上,然后降低到 2 ″(50 毫米)坩埚中,保持熔体。 这些控件被编程以拉动生长的晶体。 拉动速度可调节,可精确控制低至 0.001 mm/min。 提供一个单独的电机来旋转 3/8” 种子棒,最大拉力高度为 7 ″(176 毫米)。 底部坩埚也可配备旋转电机。

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。