室式炉 TA-200

用于熔化晶体生长电动

我们采用 Czochralski 方法生长实验室大小晶体的最低成本炉是带有晶体生长选项的电弧熔化炉 TA-200。该选项增加了用于生长半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石单晶的所有组件。 该炉使用三条电弧，可熔化 3500°C 以上的材料。然后，连接在种子棒上的晶体种子会下降到盛有熔液的 2 英寸（50 毫米）坩埚中。控制装置通过编程拉动晶体生长。 拉动速度可调，控制精度低至 0.001 毫米/分钟。提供一个单独的电机来旋转 3/8 英寸的种子杆，最大拉伸高度为 7 英寸（176 毫米）。底部坩埚也可配备旋转电机。 一般规格 用于使用 Czochralski 方法生长晶体 可调拉速低至 0.001 毫米/分钟。 7 英寸（178 毫米）行程 2 英寸（50 毫米）坩埚 可调种子杆旋转 详细信息 弧熔炉详情 有关完整的弧熔炉详情，请参阅弧熔炉 TA-200。以下仅介绍晶体生长组件。 晶体生长组件 用于控制移动速度的伺服电机和驱动器 齿轮减速器，用于将拉伸速度从每分钟 14 毫米降至每分钟 0.001 毫米 用于在腔体内上下移动种子杆的精密滑块，行程为 7 英寸（178 毫米 直流电机，可使种子杆旋转 0 至 30 RPM 种子杆周围采用真空密封，可隔离箱内环境 触摸屏可方便地对拉晶机进行编程操作和显示 控制盒内装有所有电气元件