室式炉

碳氮共渗淬火烧结

这种晶体生长炉可采用布里奇曼法、佐赫拉尔斯基法或斯捷潘诺夫法生产实验室大小的晶体。这种技术可用于生长半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石的单晶体。 拉速可调，控制精度低至 0.001 英寸/分钟（0.025 毫米/分钟）。(0.025 毫米/分钟）。另外还配有一个独立的电机，用于旋转 3/8 英寸的籽杆。 我们的晶体生长选件还可安装在使用顶部炉腔端口的特定前装载 MRF 炉上，例如我们的多功能实验室炉或特定电弧熔化炉。 一般规格 用于使用布里奇曼、佐赫拉尔斯基或斯捷潘诺夫方法进行晶体生长 可调拉速低至 0.001 英寸/分钟（0.025 毫米/分钟）。(0.025 毫米/分钟） 8 英寸行程 可调节籽杆旋转 可轻松装入我们的 4 英寸 x 8 英寸（直径 101 毫米 x 高 203 毫米）热区前装炉中 包括所有电气、机械和控制组件 详细信息 炉膛和热区 炉膛从正面装载，包含一个热区，热区直径为 3.0 英寸 x 高为 6.0 英寸，温度梯度为 +/- 10°C。加热元件采用 1/2- 1/2 分体式设计，可将装有溶质的坩埚直接插入热区的支撑板上。炉腔由双层不锈钢焊接而成，并经过抛光处理，表面光洁，具有良好的真空完整性。 热区组件有三种选择：石墨带元件和硬质纤维石墨隔热包、Moly-D 棒元件和陶瓷隔热包，或高温金属网加热元件和分层金属屏蔽。