半导体激光源

功率: 80 W
波长: 1,064 nm

... 设备特性

• 亚纳秒脉冲（0.1–0.2 ns，可定制）；接近衍射极限的光束质量（M2 ≤1.5）；单脉冲最大能量 0.8 mJ
• 全光纤光学结构，提供稳定输出（功率稳定度 ≤3 %，24 h）并在半导体与光伏加工中提升加工性能
• 可调重复频率 100–2000 kHz，功率调节范围 0–100 %，满足工艺灵活性
• 结构紧凑、响应快速（<100 μs），光束参数可控（光斑尺寸 3.0±0.2 mm，椭圆率典型 92

功率: 20 W - 50 W
波长: 1,030 nm

... 机器特性

• 飞秒脉冲
• 高脉冲能量与高峰值功率
• 接近衍射极限的光束质量
• 高稳定性与可靠性

• 切割、钻孔与划片（玻璃、硅、陶瓷、柔性印刷电路板）
• 薄膜图案化（金属、薄膜）
• 标刻（玻璃、硅、陶瓷、金属、塑料）

功率: 3 W - 20 W
波长: 514 nm - 1,032 nm

... 产品概述
JPT-LIT 20 是一款被动空冷的紧凑型飞秒超快激光器，面向工业微加工、半导体处理和科研应用。提供 400 fs～4 ps 的超短脉冲、可调的重复频率以及稳定的光学参数。可选二次谐波（SH）模块以 515 nm 输出扩展材料适用性。

主要特性

• 被动空冷设计，降低维护需求并适配洁净室环境
• 机箱达到 IP51 防护等级，具备防尘工业耐用性
• 光束质量稳定（M² < 1.2），指向稳定性高
• 可调重复频率：30

功率: 20, 60 W
波长: 1,035 nm

... 产品概述
JPT FS系列飞秒红外光纤激光器输出超短脉冲（<400 fs）并具备高单脉冲能量（>40 μJ），可实现极高峰值功率与亚微米级加工精度。采用全光纤CPA架构，适用于工业环境的输出稳定性与可靠性。具备Burst模式、可编程时间偏移调制、位置同步输出（PSO）等功能，机型可实现单脉冲至1–2 MHz的宽频率可调范围。

主要特性

• 超短脉冲：脉冲宽度 <400 fs，可最小化热影响区，实现高精度加工。
• 高单脉冲能量：>40