陶瓷片 SN-90

用于氮化硅

Innovacera 的氮化硅（Si₃N₄）基板集优异的导热性、高机械强度和卓越的断裂韧性于一身，为大功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些基底的热膨胀系数与硅非常接近，并且具有出色的抗热震性，因此能在极端条件下保持稳定的性能。精密设计的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和高级无线模块的理想选择。特性：高导热性热膨胀系数接近硅晶片高强度和韧性应用：大功率 IGBT 功率模块大功率散热器无线模块材料特性表：特性测试条件单位硅₃N₄ (SN-90)Material--Si₃N₄Appearance--greySurface roughnessRaμm0.2~0.75Density-g/cm³≥3.2 抗弯强度3 点抗弯强度 MPa≥750 维氏硬度荷载 4.9GPa≥14吸水率-%0导热系数25℃W/（m-k）≥85线性热膨胀系数25-500℃x10-⁶毫米/℃2~4抗热震性800℃时间≥10比热-J/（千克-千克）680介电常数1MHz/25℃-7~8介电损耗1MHz/25℃x10-⁴≤4容积电阻率25℃Ω-cm>10¹⁴击穿电压-kV/mm>15反射率反射率仪--白度白度仪--规格和尺寸：材料单位硅₃N₄有效尺寸 (A, B)mm138*190 厚度 (T)mm0.25、0.32厚度公差mm±5%（最小 ±0.03mm）翘曲度（C）mm≤0.3%表面粗糙度μm0.2-0.75尺寸、厚度和表面粗糙度可定制加工方式：激光加工研磨抛光板材粗糙度表项目合格特殊等级内部尺寸公差±0.05mm±0.03mm外部尺寸公差±0.15mm±0.1mm孔公差（φ0.07-0.15mm）±0.05mm±0.02mm孔公差（φ>0.15mm）±0.1mm±0.02mm磨削表面粗糙度（μm）0.3-0.60.3-0.5精磨表面粗糙度（μm）0.1-0.40.1-0.3抛光表面粗糙度（μm）≤0.1≤0.05相关标签：高强度陶瓷基板，Si3N4 陶瓷基板，电源模块用 Si3N4 基板，氮化硅基板技术特性/规格：材料：氮化硅 (Si₃N₄)颜色：灰色表面粗糙度：0.2~0.75 μm密度：≥3.2 g/cm³弯曲强度：≥750 MPa维氏硬度：≥14 GPa吸水率：0%热传导率：≥0.5%(0%)0%导热系数：≥85 W/(m-k)Linear thermal expansion coefficient: 2~4 x10-⁶ mm/℃Thermal shock resistance: ≥10 times at 800℃Specific heat: 680 J/(kg-K)Dielectric constant: 7~8 (1MHz/25℃)Dielectric loss: ≤4 x10-⁴ (1MHz/25℃)体积电阻率：>10¹⁴ Ω-cm (25℃)击穿电压：>15 kV/mm有效尺寸：138*190 mm厚度：0.25、0.32 mm厚度公差：±5%（最小 ±0.03mm）翘曲：≤0.3%加工：激光加工、研磨、抛光可定制尺寸、厚度和表面粗糙度