氮化硅滚珠

概述
Innovacera 氮化硅研磨球采用三种成型方法生产：滴定成型、滚压成型和 CIP（冷等静压）。经气压成型后在 1800–2100 °C 下烧结。氮化硅纯度约为 99%。直径大于 3 mm 时通常采用 CIP 成型。主要直径范围：0.2 mm – 20 mm。

主要特性

• 化学惰性
• 低摩擦、低发热
• 电绝缘
• 非磁性
• 高强度
• 耐腐蚀

与其它研磨介质的优势
Si3N4 研磨球具有更高的耐磨性和更低的污染，有助于提高能效并减少机械磨损。可实现超细研磨和高效分散，适用于半导体浆料、药物分散体和电池材料研磨等高纯度应用场景。

Si3N4 研磨球通用尺寸
主要尺寸：0.2 mm – 20 mm。
规格（mm）：
0.2-0.4 | 0.4-0.6 | 0.6-0.8 | 0.8-1.0 | 1.0-1.2
1.4-1.6 | 1.6-1.8 | 1.8-2.0 | 2.0-2.2 | 2.2-2.4
2.4-2.6 | 2.6-2.8 | 2.8-3.0 | 3.0-3.5 | 3.5-4.0
4.0-4.5 | 4.5-5.0 | 5.0-5.5 | 5.5-6.0 | 6.0-6.5
6.5-7.0 | 7.0-7.5 | 7.5-8.0 | 8.0-8.5 | 8.5-9.0
9.0-9.5 | 9.5-10.0 | 10.0-10.5 | 10.5-11.0 | 11.0-11.5
11.5-12.0 | 12.0-12.5 | 12.5-13.0 | 13.0-13.5 | 13.5-14.0
14.0-14.5 | 14.5-15.0 | 15.0-15.5 | 15.5-16.0 | 16.0-16.5
16.5-17.0 | 17.0-17.5 | 17.5-18.0 | 18.0-18.5 | 18.5-19.0
19.0-19.5 | 19.5-20.0

应用

• 陶瓷制造
• 新能源（电池材料）
• 电子材料研磨
• 油墨、稀土及先进高分子的研磨
• 高纯化学体系的研磨

技术规格

• 材料：氮化硅（Si3N4）
• 纯度：约 99%
• 成型方法：滴定、滚压、CIP（冷等静压）
• 烧结：约 1800–2100 °C 的气压烧结
• 推荐成型：直径 > 3 mm 常用 CIP
• 可用尺寸范围：0.2 mm 至 20 mm（上述列出多个离散区间）
• 典型特性：化学惰性、低摩擦/低发热、电绝缘、非磁性、高强度、耐腐蚀
• 典型用途：半导体浆料、药物分散体、电池材料研磨、油墨、稀土、先进高分子及其他高纯度研磨应用