电子工业测试系统 PMST

用于半导体MOSFET用于 IGBT

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。 产品特点 ● 高电压达3500V(最大扩展至10kV) ● 大电流达6000A(多模块并联) ● nA级漏电流μΩ级导通电阻 ● 高精度测量0.1% ● 模块化配置，可添加或升级测量单元 ● 测试效率高，自动切换、一键测试 ● 温度范围广，支持常温、高温测试 ● 兼容多种封装，根据测试需求定制夹具