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MOSFET测试系统
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... 支持独立资源和可扩展扩展
详细概述 FTI‑1000 同时满足工程表征与高产能晶圆筛选需求,配备独立的 DC 与 AC 测试资源,可测量关键 MOSFET ...
... 实时"结构功能诊断: 可以快速获得故障进度、循环次数、故障原因等结果,自动停止测试; 操作过程中可远程监控: 用户通过移动端/PC端口远程控制试验进程; 完善的保护机制,具备过温,烟雾和冷却剂泄漏检测等多重保护; 兼容IGBT/DIODE/ MOSFET/BJT/SCR功率器件测试; 设备辅控系统采用 UPS 供电,断电状态仍可指示设备安全状态。 ...
Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
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(页面以图片形式展示规格表)
产品特点
- 最多24通道切换单元,支持复脉冲测试、分流器采样测试
- 支持产线测试,高速测试
- 支持 JEP183A SiC MOSFET 器件测试标准
- 可通过扫码枪扫描条码完成 PN 码录入,自动生成测试报告
- 人机界面友好,操作简单便捷
特征 / 规格(技术规格)
- 系统组成:高压供电单元
Hefei Kewell Power System Co., Ltd.
... 多站点 MOSFET测试系统-STS8202 系统特点:可测试16个点的 MOSFET晶圆,每个点测试100v/10A。 - MOSFET晶圆测试多达16个站点,每个站点测试100v/10A。 - 高电压测试选项,最高可达1000V - UIS测试选项高达10A - 其他AC测试选项 ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
... 功率离散测试系统-STS8203 系统功能: - 重点测试功率分立器件,如 MOSFET、肖特基、IGBT等。 - 2000v/200A直流测试能力 - UIS、DVDS和ZMU(Ciss/Coss/Crss/Rg)测试选项。 - 多功能测试模式,支持直流和交流项目同时进行测试,可与不同的测试站对接 - 菜单驱动编程。 - 灵活扩展到 "CROSS "主机下的模拟IC测试仪。 ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
... 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件( MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。 产品特点 ● ...
Wuhan Precise Instrument Co.,Ltd
... 电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和 MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称C-V特性),C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。 • 频率范围宽:频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调 • 高精度、大动态范围:提供0V~3500V偏压范围,精度0.1% • ...
Wuhan Precise Instrument Co.,Ltd