脉冲激光二极管 PVGR4S12H

纳秒固态近红外

产品概述
PVGR4S12H 是一款 1550 nm 工作波长的金属封装脉冲激光二极管。器件集成单腔（single‑cavity）四叠片（quad‑stack）芯片，条纹宽度 300 µm（12 mil），以 9 mm CD 金属封装交付。经 150 ns 脉冲测试，峰值输出达到 58 W @ 40 A。

技术与性能
采用 MOCVD 生长的双异质结量子阱结构，针对 1550 nm 中心波长优化。该波长能利用更高的允许发射水平以实现眼安全操作（在适用的 FDA/眼安全限值下可实现可能的一级（Class 1）运行）。提供多种峰值输出型号以满足不同系统需求。

产品特性

• 金属封装的脉冲激光二极管，适用于工业应用
• 单腔（single‑cavity）四叠片（quad‑stack）芯片结构
• 条纹宽度：300 µm（12 mil）
• 提供多种封装选项，包括 9 mm CD 金属封装

文档
提供数据表，包含电气、光学和机械规格、测试条件及使用/搬运建议。

技术规格

• 中心波长：1550 nm
• 芯片结构：单腔，四叠片
• 条纹宽度：300 µm（12 mil）
• 测试峰值输出：58 W @ 40 A（150 ns 脉冲）
• 可选峰值输出型号：7 W、14 W、58 W
• 脉冲峰值功率能力：最高可达 58 W（视型号而定）
• 有源结构：量子阱
• 生长方法：MOCVD 双异质结
• 封装：金属封装（示例：9 mm CD）