脉冲激光二极管 PVGR2S06H

固态近红外二极管

概述
PVGR2S06H是针对1550 nm波长工作的金属封装脉冲激光二极管。器件集成了单腔体双层堆叠芯片，条宽为150 µm，并可提供如9 mm CD封装中6 mils PLD配置等封装选项。典型测试输出为150 ns脉冲、20 A时24 W。

技术与应用说明
该系列器件为通过MOCVD生长的量子阱双异质结激光二极管，中心波长为1550 nm。系列标准峰值输出包含7 W、14 W和58 W。1550 nm波长允许更高的允许辐射水平以提高眼部安全性，在适用条件下可实现较高峰值功率下的1类（Class 1）运行可能性。

主要特性

• 中心波长：1550 nm
• 金属封装脉冲激光二极管
• 单腔体、双层堆叠芯片结构
• 条宽：150 µm
• 测试性能：150 ns脉冲下20 A时24 W
• 可通过堆叠器件增加输出功率
• MOCVD生长的量子阱双异质结构
• 高峰值脉冲功率能力：可达50 W

参数 / 技术规格

• 型号：PVGR2S06H
• 波长（中心）：1550 nm
• 芯片结构：单腔体，双层堆叠
• 条宽：150 µm
• 封装：金属封装（示例：9 mm CD封装）
• PLD规格：6 mils PLD
• 典型测试输出：150 ns脉冲、20 A时24 W
• 峰值脉冲功率能力：可达50 W
• 生长/结构：MOCVD生长的量子阱双异质结构
• 系列标准峰值输出：7 W、14 W、58 W
• 设计旨在在1550 nm处允许更高的辐射限值以提高眼部安全性（在适用条件下具备Class 1运行的可能性）