TRUMPF可编程等离子发生器

... ：不同功率等级采用相同技术，便于集成与备件管理。

• RIE（反应性离子刻蚀）
• ALD（原子层沉积）
• PECVD（等离子体增强化学气相沉积）
• RF 溅射
• 半导体、MEMS、平板显示和太阳能电池的制造

• 高重复性

... 4000 (G2.1) 系列为 PVD、PECVD 及反应性溅射等 等离子体辅助镀膜工艺设计的双极脉冲 发生器。其可配置的输出波形与全数字化电弧管理可稳定 等离子体，提供可重复的镀膜结果。

主要特性

• 全数字化电弧管理，极低电弧能量，提升涂层质量。
• 输出波形可配置，便于根据工艺要求调整信号。
• 支持直流、脉冲直流与双极模式，适应多种应用。
• 发生器机壳内置水冷系统，无需外部冷却器。

... 为高要求应用提供最大化的 等离子体密度

• 产品系列：TruPlasma MW 系列 1000 / 3000 / 5000
• 页面示例型号：TruPlasma

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典型应用 TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 适用于 RIE、ALD、PECVD、射频溅镀等 等离子体工艺。常见行业包括半导体制造、MEMS、平板显示器涂层和太阳能电池生产。

客户收益与系统集成

• 智能实时匹配确保快速将阻抗调整至 50 Ω 并稳定等离子体行为。
• 内置超宽范围电源（200–480 VAC）简化现场接入，适应不同电网环境。
• 多种集成接口：可配置模拟、RS‑

... > 适用工艺与应用
TruPlasma RF 3000 系列特别适合各种刻蚀与镀膜工艺及相关应用，包括但不限于：

• 刻蚀与镀膜工艺（如等离子体刻蚀、反应离子刻蚀 RIE、原子层沉积 ALD、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 等）。
• 金属工件镀膜（例如涂覆耐磨层、电子元件结构化、光刻胶等离子体灰化）。
• 平板显示器与太阳能电池镀膜（用于

... 概述
TruPlasma DC 3000 (G2) 系列为紧凑型水冷直流电源，适用于多种直流溅射工艺，也可作为脉冲电源的替代。先进的电弧管理保证优异的涂层质量并提高产量。19 英寸插入式的紧凑设计便于在现有系统中集成。

主要卖点

• 同类最低的电弧残余能量：残余能量 < 0.3 mJ/kW，确保优良涂层质量与高沉积速率。
• 高功率密度：紧凑的 19 英寸插入式单元，即使在高功率下也便于集成。
• 宽功率范围：输出功率

... >概述
TruPlasma Highpulse Series 4000 (G2) 是为 HiPIMS 应用设计的 发生器，可在无需更改硬件的情况下替代现有磁控系统中的直流溅射源。极高的峰值功率产生高密度 等离子体和强 离子通量，以实现耐腐蚀、耐磨损的硬质 PVD 涂层。

主要特点

• 峰值功率可达 4 MW，提供极高的等离子体密度和电离率。
• 可直接适配现有阴极系统和工艺条件，便于集成。
• 支持直流模式运行，无需外部直流电源