ROHM Semiconductor/罗姆开关晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 ...

电流: 5, 20, 30, 50 A
电压: 600 V

Bourns® BID 离散式 IGBT 系列结合了 MOS 栅极和双极晶体管的技术，为高压和大电流应用创造了合适的组件。 Bourns® BID IGBT 系列采用先进的沟槽栅极场截止技术，提供更好的动态特性控制，同时降低集极-射极饱和电压 (VCE(sat)) 和开关损耗。此外，这种结构增加了器件的稳健性并提供更低的热阻 RTH，使其成为开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 ...

电流: 20 A
电压: 650 V

... EcoGaN™系列的产品，通过充分利用低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能，实现了高可靠性的设计。此外，高度通用的封装提供了良好的散热性，便于安装。 概述 该产品在RDS(ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss方面具有行业领先的性能，这是GaN HEMT的优点，可转化为电源系统的更高效率。同时，内置的ESD保护元件提高了抗静电击穿能力，最高可达3.5kV，从而实现了更高的应用可靠性。氮化镓HEMT的高速开关特性也有助于外围元件的进一步小型化。 应用实例 ...

电压: 60 V

... NPN 外延硅晶体管 应用 该产品用途广泛，适用于多种不同应用。 ...

电流: 8 A
电压: 600 V

... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...

电压: 50 V

... 描述： 中央半导体 CMKT3920（两个单 NPN 晶体管）是一种双组合，采用 节省空间的 SOT-363 UltraMini™ 封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码：K20 特点： • UltraMini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体管 应用： • 负载开关 ...

电流: 0.8 A
电压: 50 V

... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极晶体管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...

电压: 20, 50 V

... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...

电流: 100 mA
电压: 60, 50 V

... 典型应用 数字控制 开关、信号处理 商用/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准） 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 资格标准 x) 特点 集成偏置电阻组合，节省成本和空间 偏置电阻组合，节省成本和空间 符合 RoHS（无豁免）、 REACH、冲突矿产 *) ...

... 特点。 - 现场停止沟槽门IGBT - 短路额定值>10ps - - 低饱和电压 - 低开关损耗 - 100% RBSOA 测试 (2*lc) - 低杂散电感 - 无铅，符合RoHS要求 - 带有PressFIT信号引脚和螺钉电源端子的组装解决方案 应用。 - - 电机驱动 - - 太阳能应用 - - UPS系统 ...