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HAMAMATSU/滨松公司硅光电二极管
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
S16008-33 是一款表面贴装型硅光电二极管,在可见光至近红外区域具有高灵敏度。这提供了比以前的 S2387 系列更高的灵敏度。 特点 - 在可见光至近红外区域具有高灵敏度 -低暗电流 -卓越的线性度 -兼容无铅回流焊接 • 受光面 : 2.4 × 2.4 mm • 像素数 : 1 • 封装 : 玻璃环氧树脂 • 封装类别 : 表面贴装型 • 散热 : 非冷却型 • ...
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S14536 系列是专为直接检测高能带电粒子和 X 射线而设计的大面积光电二极管。这些探测器安装在印刷电路板上,带有一个开口,用于带电粒子和 X 射线的 ΔE/E 检测。 特点 -大感光面 -低暗电流 -高电压容差 • 受光面 : 48 × 48 mm • 芯片厚度 : 320 ± 15 μm • 非感光层厚度(正面) : 1.5 μm • 非感光层厚度(背面) : 20 ...
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S14537 系列是专为直接检测高能带电粒子和 X 射线而设计的大面积光电二极管。这些探测器安装在印刷电路板上,带有一个开口,用于带电粒子和 X 射线的 ΔE/E 检测。 特点 -大感光面 -低暗电流 -高电压容差 • 受光面 : 28 × 28 mm • 芯片厚度 : 320 ± 15 μm • 非感光层厚度(正面) : 1.5 μm • 非感光层厚度(背面) : 20 ...
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S14605 是一款非密封型大面积硅 PIN 光电二极管,用于直接辐射检测。它可以高效检测高能辐射。 特点 -高量子效率 -高能量分辨率 -低电容 -耗竭层:0.5 mm 本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别小心。 使用本产品之前,请务必阅读下文所述的“未密封产品/预防措施”。 • 受光面 : 9 ...
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适用于紫外至可见光波段的精密光度测定;抑制近红外灵敏度 特点 - 高紫外灵敏度:QE = 75 % (λ = 200 nm) - 抑制近红外灵敏度 - 低暗电流 - 高可靠性 详细参数 • 受光面 : 1.1 × 1.1 mm • 像素数 : 1 • 封装 : 金属 • 封装类别 : TO-18 • 制冷 : 非冷却型 • 反向电压(最大值) : 5 V • 灵敏度波长范围 : 320 至 1000 nm • 最大灵敏度波长(典型值) ...
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高灵敏度硅 APD,用于检测波长为 266 nm 的光 S14124-20 是 S8664 系列的改进型硅 APD,用于对半导体检查和激光加工设备中所使用的波长为 266 nm 的光进行高灵敏度检测。在 λ = 266 nm 时,我们实现了 87% 的量子效率。 特点 - 高灵敏度,量子效率:87% (λ = 266 nm) - 低电容 - 低噪声 - 高增益 详细参数 • 类型 : 短波长类型 • (低结电容) • 受光面 : ...
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高灵敏度,直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束 特点 -以高灵敏度直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束 -高增益:300 倍 高检测效率:72%(入射电子能:1.5 keV) -较大的受光面尺寸:10 × 10 mm -受光面中心的孔径为 φ2.0 mm -薄陶瓷封装 -使用由较少磁性材料制成的配线板 注意 本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别小心。 使用本产品之前,请务必阅读下文所述的“未密封产品/预防措施”。 详细参数 • ...
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这是一款紧凑的表面贴装型硅 APD,可在 700 nm 波段实现高灵敏度。该产品适用于广泛用于从消费电子产品到工业用途的光波距离计的激光监测。 特点 - 小封装:3.1 × 1.8 × 1.0t mm - 最大灵敏度波长:760 nm (M = 100) - 低偏压操作:最大击穿电压 = 120 V - 高速响应:截止频率 = 典型值为 2 GHz(λ = 760 nm,M = 100) - 降低击穿电压变化:100 ± 20 V 详细参数 • ...
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适用于 LiDAR(800 nm 波段)的高速紧凑型硅 APD,具有低偏压操作 这是一款紧凑的表面贴装型硅 APD,可在 800 nm 波段实现高灵敏度。该产品适用于广泛用于从消费电子产品到工业用途的光波距离计的激光监测。 特点 - 小封装:3.1 × 1.8 × 1.0t mm - 最大灵敏度波长:800 nm (M = 100) - 低偏压操作:最大击穿电压 = 180 V - 高速响应:截止频率 = 典型值为 1.2 GHz(λ = 800 ...
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适用于 LiDAR(900 nm 波段)的高速紧凑型硅 APD,具有低偏压操作 这是一款紧凑的表面贴装型硅 APD,可在 900 nm 波段实现高灵敏度。该产品适用于广泛用于从消费电子产品到工业用途的光波距离计的激光监测。 特点 - 小封装:3.1 × 1.8 × 1.0t mm - 最大灵敏度波长:840 nm (M = 100) - 低偏压操作:最大击穿电压 = 195 V - 高速响应:截止频率 = 典型值为 600 MHz(λ = 900 ...
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