硅光电二极管 S series
红外UV紫外线

硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
硅光电二极管
添加到我的收藏夹
添加到产品对比表
 

产品规格型号

技术参数
硅, UV紫外线, 红外

产品介绍

适用于紫外至可见光波段的精密光度测定;抑制近红外灵敏度 特点 - 高紫外灵敏度:QE = 75 % (λ = 200 nm) - 抑制近红外灵敏度 - 低暗电流 - 高可靠性 详细参数 • 受光面 : 1.1 × 1.1 mm • 像素数 : 1 • 封装 : 金属 • 封装类别 : TO-18 • 制冷 : 非冷却型 • 反向电压(最大值) : 5 V • 灵敏度波长范围 : 320 至 1000 nm • 最大灵敏度波长(典型值) : 720 nm • 感光灵敏度(典型值) : 0.36 A/W • 暗电流(最大值) : 2 pA • 上升时间(典型值) : 0.15 μs • 结电容(典型值) : 35 pF • 噪声等效功率(典型值) : 1.6×10-15 W/Hz1/2 • 测量条件 : Ta = 25°C,典型值,感光灵敏度:λ = 720 nm,暗电流:VR = 10 mV,结电容:VR = 0 V,f = 10 kHz,除非另有说明

展厅

该卖家将出席以下展会

ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 6月 2024 Frankfurt am Main (德国) 展会 11.1 - 展台 F62

  • 更多信息
    * 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。