硅光电二极管 S1114 series

高灵敏度，直接检测低能量（1 keV 或以上）电子束 特点 -以高灵敏度直接检测低能量（1 keV 或以上）电子束 -高增益：300 倍 高检测效率：72%（入射电子能：1.5 keV） -较大的受光面尺寸：10 × 10 mm -受光面中心的孔径为 φ2.0 mm -薄陶瓷封装 -使用由较少磁性材料制成的配线板 注意 本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护，因此与普通产品相比，在操作过程中需要特别小心。 使用本产品之前，请务必阅读下文所述的“未密封产品/预防措施”。 详细参数 • 受光面 : 10 x 10 mm • 像元数 : 1 • 封装 : 陶瓷 • 入射电子能范围（典型值） : 1 至 30 keV • 电子倍增系数（典型值） : 300 • 反向电压（最大值） : 20 V • 暗电流（最大值） : 60000 pA • 截止频率（典型值） : 2.5 MHz • 结电容（典型值） : 450 pF • 测量条件 : Ta = 25°C，VR = 5V