电子扫描显微镜 SU9600

薄膜测量用于研究用于材料研究

概述
SU9600 (T)SEM 是一款模块化混合型扫描电子显微镜，将超高分辨率 SEM 与分析型 STEM 及兼容 TEM 的样品台相结合。它在一台高稳定性平台上实现表面与透射电子的关联分析，支持 UHR-SEM、STEM、4D-STEM*、EELS* 和 nano-EDS*，用于快速高分辨率成像与多模态材料表征。

主要特点

• 在同一稳定平台上集成 UHR-SEM 与分析型 STEM 功能
• 10 V 至 30 kV 范围内的超高分辨率成像，适用于表面与结构分析
• 冷场发射枪、全浸没物镜与 TEM 样品台（30 kV 下保证 0.34 nm；约 0.2 nm 可达）

功能与优势

• 具能量和角度滤波的反射与透射电子全面检测
• 将 SE/BSE 表面对比与 BF/ADF/STEM 成像及谱学数据（EELS/EDS）相关联
• 采用大固角无窗 EDS 实现亚纳米级元素分析
• 通过 EELS 与 4D-STEM 开展先进的材料物性研究

技术细节

• 采用 NEG 的下一代冷场发射，提供高亮度并降低色差（EELS 可选）
• 全浸没物镜配合类 TEM 台以实现最佳分辨率和机械稳定性
• 0.5–30 kV 范围内的高分辨率成像（30 kV 下保证 0.34 nm；约 0.2 nm 可达）
• TEM 台和双倾斜支架用于快速断面定向和晶向轴对齐（可选）
• 支持冷冻（cryo）和 MEMS 支架（可选）

分析能力

• 采用大固角无窗探测器的亚纳米级 EDS，实现快速纳米尺度元素分布成图
• 快速直接电子探测的 4D-STEM 支持 DPC、ptychography、应变与相位映射；虚拟孔径生成 BF/DF/选择区衍射图像
• 低 kV 下的 EELS：实时元素成像、核心损失与等离子损失光谱；冷场发射可实现约 0.35 eV 的能量分辨率

应用

• 纳米材料：元素分布映射、纳米线成分分析、晶格成像
• 薄膜：表面形貌与晶粒结构分析
• 元素分析：纳米尺度的成分与映射（例如 Ag/Cu 系统）
• 半导体：原子级晶格成像与衍射分析

规格
SE 图像分辨率：0.4 nm @ 30 kV；1.0 nm @ 1 kV；0.6 nm @ landing 1 kV（配备可选减速支架和顶置探测器时）
STEM 图像分辨率：0.34 nm @ 30 kV（晶格成像，可选）
加速电压：0.5 至 30 kV
着陆电压：0.01 至 20 kV
电图像偏移：最大 ±5 mm（样品高度 = 0.0 mm）
台阶行程：X: ±4.0 mm，Y: ±2.0 mm，Z: ±0.3 mm，T: ±40°
样品尺寸 - 平台：5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm（H）最大
样品尺寸 - 断面平台：2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm（H）最大

说明
* 标注为可选的功能可按配置选择。4D-STEM、EELS 及部分支架等功能可能为可选项。