- 蚀刻速率可进行高低控制
- 无灯丝 μ 波中和器(选配)。
- 安装 EPD(端点探测器)(选件)。
- 可用于反应气体(选件)。
- 桶式无灯丝射频离子源(选件)
- MEMS 设备的微细加工、高频滤波器和化合物半导体的布线和电极加工、磁性传感器的微图案化/成型加工等。
设备评估
我们将首次免费提供根据客户应用量身定制的样品加工。
请就晶圆尺寸、加工晶圆数量等向本公司咨询。
离子源尺寸 - Φ200
离子源电压 - 300~1000V
电流密度 - ~ 1 mA/cm2
物体基底 - 1 × 5 "
支架运动 - 旋转和倾斜
支架冷却 - 水冷却 / 气冷却
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